TSV结构热机械可靠性研究综述

• 作者: 万里兮 于大全 曹立强 朱文辉 王珺 秦飞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 可靠性 热失配 应力 界面完整性
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 825-831
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.11.001

摘要

硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元.TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度.TSV结构中,由于Cu和Si的热膨胀系数相差6倍,致使TSV器件热应力水平较高,引发严重的热机械可靠性问题.这些可靠性问题严重影响TSV技术的发展和应用,也制约了基于TSV技术封装产品的市场化进程.针对TSV结构的热机械可靠性问题,综述了国内外研究进展,提出了亟需解决的若干问题:电镀填充及退火工艺过程残余应力测量、TSV界面完整性的量化评价方法、热载荷和电流作用下TSV-Cu的胀出变形计算模型问题等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王珺	复旦大学材料学院	48	343	11.0	17.0
2	曹立强	中国科学院微电子研究所	20	100	4.0	9.0
3	万里兮	中国科学院微电子研究所	22	115	5.0	10.0
4	秦飞	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	43	262	10.0	14.0
5	于大全	中国科学院微电子研究所	8	60	4.0	7.0