逆导型IGBT发展概述

• 作者: 张文亮 朱阳军 田晓丽 谈景飞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 逆导型绝缘栅双极型晶体管 初次回跳 二次回跳 引导区
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 新型半导体器件
• 页码范围: 836-841
• 分类号: TN389
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.11.003

摘要

逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上.逆导型IGBT器件具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多优点,但是逆导型IGBT的电压回跳现象限制了它在实际中的应用.研究了逆导型IGBT器件的结构原理以及回跳现象产生的原因,介绍了引导区结构和背面版图正交布局两种有效抑制回跳现象的方法.通过合理的设计,逆导型IGBT基本上克服了传统的特性缺陷,这将使逆导型IGBT在未来有更为广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田晓丽	中国科学院微电子研究所	4	22	1.0	4.0
2	张文亮	中国科学院微电子研究所	3	25	2.0	3.0
3	谈景飞		1	22	1.0	1.0
4	朱阳军	中国科学院微电子研究所	5	35	2.0	5.0