基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究

• 作者: 廖聪湘 徐静 陈正才
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 高压NMOS 工艺
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 36-38
• 分类号: TN305
• 字数: 1360字
• 语种: 中文

摘要

由于PD SOI工艺平台的特殊性,P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂.常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的,需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂,这在工艺上是不容易实现的.文章针对常规高压NMOS器件做了仿真,发现漂移区必须采用能量高达180 KeV、剂量6×1013以上的P注入才能将P阱反型,形成高压NMOS器件,这在工艺实现上不太容易.而采用漂移区在N阱里的新结构,可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺,在工艺上容易实现.通过工艺流片验证,器件特性良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静		16	27	4.0	5.0
2	陈正才		5	12	2.0	3.0
3	廖聪湘		1	0	0.0	0.0