Cu掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷的介电性能和晶界特征

• 作者: 刘来君 莫兴婵 覃远东 郑少英 韦小圆 韦成峰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: CaCu3Ti4O12(CCTO) Cu掺杂 Schottky热电子发射模型 晶界效应 势垒高度 非线性I-V特征 介电频谱 复阻抗谱
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TM28
• 字数: 3201字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.03.008

摘要

采用传统的固相反应工艺制备了Cu掺杂的CaCu3Ti4O12(Cu-CCTO)陶瓷.采用Schottky热电子发射模型研究了其晶界特征.研究了保温时间对Cu-CCTO陶瓷的介电性能和晶界特征的影响.结果表明:保温时间从1h延长到30 h,Cu-CCTO陶瓷在100kHz下的介电损耗保持在0.135,相对介电常数由3 600增至20 000以上.随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的I-V非线性系数由1.8增至3.37,但击穿电场强度却由1500 V/cm降至约700 V/cm.随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的势垒高度和耗尽层宽度均增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	覃远东		7	34	3.0	5.0
2	刘来君	桂林理工大学材料科学与工程学院	20	26	3.0	5.0
3	莫兴婵	桂林理工大学材料科学与工程学院	2	5	1.0	2.0
4	韦小圆	桂林理工大学材料科学与工程学院	2	5	1.0	2.0
5	韦成峰		2	5	1.0	2.0
6	郑少英	桂林理工大学材料科学与工程学院	2	5	1.0	2.0