2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片

• 作者: 刘志军 吴洪江 崔玉兴 陈凤霞 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 增强/耗尽型 均方根衰减误差 TTL 数控衰减器 赝配高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 254-258
• 分类号: TN492|TN715
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.04.003

摘要

在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成.数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点.2～12 GHz6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端减少为6个,晶体管—晶体管逻辑电路(TTL)电平控制,并行输入控制信号.电路测试结果为:插入损耗≤4.5 dB,开关时间≤15 ns,输入输出驻波比≤1.4∶1,均方根衰减误差(全态)≤0.7 dB,静态功耗为2.0 mA@-5 V,芯片尺寸为2.6 mm×1.6 mm×0.1 mm.在GaAs PHEMT衬底上实现了数字驱动和数控衰减等功能的集成,控制电平兼容应用系统电平,应用更简单,可靠性更高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
3	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
4	刘志军	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	45	5.0	6.0
5	陈凤霞	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	16	2.0	3.0