富磷InP单晶中气孔的形成及其结构研究

• 作者: 刘志国 孙同年 孙聂枫 杨帆 杨瑞霞 王书杰 王阳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 液封直拉生长法(LEC) 磷化铟 富磷 气孔 扫描电子显微镜.(SEM) X射线衍射(XRD)
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 934-937,954
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.12.010

摘要

采用P注入原位合成液封直拉生长法制备了富磷的3英寸(1英寸=2.54 cm)〈100〉InP单晶锭,对晶体中气孔的形成机理做了初步分析.采用场发射扫描电子显微镜(SEM)对样品进行表面形貌及成分分析(EDS),采用X射线衍射仪对样品结晶质量进行测试.结果表明,在晶体生长过程中,熔体中富余的磷会形成磷气泡,磷气泡容易在固液界面边缘处堆积,进而形成气孔,晶片边缘处的孔洞较大且数量较多;晶体生长结束后,富余的磷会冷凝并淀积在气孔内壁上,在晶锭退火时,开始的热冲击使得气孔中富余的磷气化,降温过程中,由于晶锭内部温度高,富余的磷先冷凝并淀积在气孔内壁靠近晶锭边缘的一侧;晶片孔洞附近的结晶质量远低于无孔洞位置.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	杨帆	河北工业大学信息工程学院	84	332	9.0	14.0
3	孙聂枫		8	24	3.0	4.0
4	刘志国	河北工业大学信息工程学院	5	36	3.0	5.0
6	王书杰		2	2	1.0	1.0
9	王阳		1	2	1.0	1.0
10	孙同年		2	8	2.0	2.0