低k介质多孔SiO2干凝胶薄膜的温度效应研究

• 作者: 万里 边惠
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 低介电常数 干凝胶 夹层介质 温度效应 多孔薄膜 泄漏电流
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TM277
• 字数: 2362字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.08.007

摘要

采用正硅酸乙酯(TEOS)作为Si源,利用溶胶-凝胶旋涂法制备了多孔SiO2干凝胶薄膜,测试分析了200,300和400℃退火后样品的不同特性.研究了退火温度对多孔SiO2干凝胶低k薄膜的化学性质、物理性质和电学性能的影响.结果表明在400℃的退火温度下所制备的薄膜具有最佳性能:其厚度和折射率均达到最小值,分别为156 nm和1.31；孔隙度和均方根粗糙度均达到最大值,分别为33％和2.01 mm,并获得最低的相对介电常数(k=2)和最小的泄漏电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万里	温州大学物理与电子信息工程学院	6	7	2.0	2.0
2	边惠	温州大学物理与电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0