n型CuInS2薄膜的制备及特性

• 作者: 李健 董斌华 蒋西
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单源共蒸发 热处理工艺 CuInS2薄膜 电学特性 导电类型
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 377-382
• 分类号: TN304.26
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.05.012

摘要

将高纯Cu,In和S粉末按1∶0.1∶1.2(原子个数比)配比混合均匀,热蒸发沉积CuInS2薄膜,再将薄膜进行热处理.研究热处理工艺对薄膜性能和导电类型转换的影响.本研究制备的薄膜经360℃,30 min的热处理,得到n型、黄铜矿结构的CuInS2薄膜,平均晶粒尺寸29.43 nm.经370℃,20 min热处理的CuInS2薄膜也呈n型,平均晶粒尺寸38.23 nm.霍尔效应测试显示上述两种n型CuInS2薄膜的导电性良好,迁移率分别为1.071 cm2/V·s和53.82 cm2/V·s.能谱分析给出,CuInS2薄膜(360℃)体内原子个数比Cu∶In∶S=1∶1.2∶1.6,S元素损失较多.CuInS2薄膜(370℃,20 min)的原子个数比为1∶0.8∶1.4,S和In元素的含量较少；扫描电子显微镜给出薄膜表面呈颗粒状,随热处理温度增加,薄膜表面的致密性变好但粗糙度增大,370℃,30 min热处理后CuInS2的晶相结构不变,导电类型转为p型,迁移率为1.071 cm2/V·s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李健	内蒙古大学物理科学与技术学院	36	200	7.0	12.0
5	董斌华	内蒙古大学物理科学与技术学院	3	14	3.0	3.0
6	蒋西	内蒙古大学物理科学与技术学院	1	4	1.0	1.0