两级非平衡超结SOI LDMOS高压器件

• 作者: 王文廉
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 超结 LDMOS SOI 功率集成电路
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 97-100
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

针对SOI功率集成电路,提出一种具有两级非平衡超结的SOI LDMOS高压器件.新结构通过调节超结的掺杂浓度,在漂移区形成两级超结结构.在器件反向耐压时,源端的超结n区被快速耗尽,过剩的p型电荷可以降低源端的峰值电场,同时提高漂移区中部的电场;而漏端的超结p区被快速耗尽,过剩的n区与n型外延层共同提供补偿电荷,这种阶梯分布的电荷补偿进一步优化了横向电场分布.这种两级非平衡超结结构缓解了横向超结器件中的衬底辅助耗尽效应,可提高器件的耐压.三维器件仿真结果表明,在漂移区长度为15 μm时,该器件的耐压达到300 V,较常规的超结器件和具有缓冲层的超结器件分别提高122％和23％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文廉	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	48	242	8.0	14.0