激光剥离GaN表面的抛光技术

• 作者: 刘文杰 应磊莹 张保平 张江勇 胡晓龙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激光剥离(LLO) GaN 化学机械抛光(CMP) 垂直结构发光二极管(VSLED) 谐振腔发光二极管(RCLED) 垂直腔面发射激光器(VCSEL)
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 758-762
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.10.008

摘要

激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术.然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的GaN表面进行抛光.分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二氧化硅抛光波进行机械抛光和化学机械抛光(CMP),并对比了两种方法获得的抛光结果,研究发现前者会在抛光后的GaN表面引入划痕,而采用后者可以得到亚纳米级平整度的表面.进一步的实验结果表明,胶粒二氧化硅抛光液同样适用于图形化衬底外延片激光剥离后的GaN表面抛光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张保平	厦门大学信息科学与技术学院	21	95	5.0	9.0
5	应磊莹	厦门大学信息科学与技术学院	8	6	2.0	2.0
6	张江勇	厦门大学信息科学与技术学院	7	12	2.0	3.0
7	胡晓龙	厦门大学物理与机电工程学院	10	35	3.0	5.0
9	刘文杰	厦门大学物理与机电工程学院	6	22	2.0	4.0