600 V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真

• 作者: 刘钺杨 匡勇 屈静 李蕊 胡冬青 苏洪源 贾云鹏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: p型埋层载流子存储层内透明集电极绝缘栅双极晶体管(CSL-pBL-ITC-IGBT) 哑元胞 载流子存储层 p型埋层 槽栅
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 908-916
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.12.006

摘要

载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力.为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(pBL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TACD仿真工具,依托内透明集电极(ITC)技术,研究了600 V槽栅CSL-pBL-ITC-IGBT电特性.为了保证器件承受住不小于10μs的短路时间,设置了哑元胞.在此基础上,仿真分析了CSL和pBL的尺寸及掺杂浓度、哑元胞尺寸等对器件特性的影响,并与普通的槽栅ITC-IGBT、点注入局部窄台面(PNM) ITC-IGBT的主要技术指标进行对比,给出CSL和pBL的尺寸及掺杂浓度的最佳范围.结果表明,合理的参数设计可使CSL-pBL-ITC-IGBT具有更优的技术折中曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡冬青	北京工业大学电子信息与控制工程学院	27	114	7.0	9.0
2	贾云鹏	北京工业大学电子信息与控制工程学院	16	107	7.0	9.0
3	刘钺杨	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	6	21	3.0	4.0
4	屈静	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	18	3.0	4.0
5	匡勇	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	18	3.0	4.0
6	李蕊	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	44	5.0	6.0
7	苏洪源	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	19	3.0	4.0