一种自恢复容SEU锁存器的设计

• 作者: 吴悠然 梁华国 王志 闫爱斌 黄正峰
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 锁存器设计 反馈冗余单元 C单元 低功耗 软错误
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 643-648
• 分类号: TN47
• 语种: 中文

摘要

随着集成电路工艺水平的不断提高、器件尺寸的不断缩小以及电源的不断降低,传统的锁存器越发容易受到由辐射效应引起的软错误影响.为了增强锁存器的可靠性,提出了一种适用于低功耗电路的自恢复SEU加固锁存器.该锁存器由传输门、反馈冗余单元和保护门C单元构成.反馈冗余单元由六个内部节点构成,每个节点均由一个NMOS管和一个PMOS管驱动,从而构成自恢复容SEU的结构.在45 nm工艺下,使用Hspice仿真工具进行仿真,结果表明,与现有的加固方案FERST[1]结构相比,在具备相同面积开销和单粒子翻转容忍能力的情况下,提出的锁存器不仅适用于时钟门控电路,而且节省了61.38％的功耗-延迟积开销.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁华国	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	192	1611	19.0	30.0
2	黄正峰	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	101	590	14.0	19.0
3	吴悠然	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	1	1	1.0	1.0
4	王志	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	5	8	2.0	2.0
5	闫爱斌	合肥工业大学计算机与信息学院	9	41	4.0	6.0