宽带混频器的优化设计

• 作者: 于洁 吴会丛 吴楠 李斌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓(GaAs) 混频器 高线性度 遗传算法 巴伦
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 330-334
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.05.002

摘要

采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并实现了一款单片宽带混频器.该混频器采用双平衡混频器结构,以串联的两个漏源相连的PHEMT作为环形二极管电桥中的二极管以提升混频器线性度.本振巴伦和射频巴伦均采用螺旋线式Marchand巴伦,为降低巴伦的幅度及相位不平衡度,采用遗传算法对巴伦的几何参数进行了优化设计.该混频器电路采用0.25 μm GaAs PHEMT工艺实现,芯片面积为1.5mm×1.1 mm.测试结果表明,当本振功率为20 dBm时,变频损耗小于7 dB,输入三阶交调点ⅡP3大于22 dBm.本振端口到射频端口和中频端口的隔离度均大于30 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国电子科技集团公司第五十四研究所	89	251	10.0	12.0
2	吴会丛	河北科技大学信息科学与工程学院	22	119	5.0	10.0
3	吴楠	中国电子科技集团公司第五十四研究所	5	7	1.0	2.0
4	于洁	河北科技大学信息科学与工程学院	4	4	1.0	2.0