Flash存储器抗60Co γ射线总剂量能力的分析

• 作者: 刘海涛 刘远飞 李鹏程
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Flash存储器 总剂量 故障分析 数据保持性能 抗辐照能力
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 468-472
• 页数: 5页
• 分类号: TN386|TP333
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.06.011

摘要

为了比对分析多家厂商生产的NAND型Flash存储器的抗辐照能力和数据保持能力,选择了3种规格(代号为A,B和C)的商业级Flash存储器作为研究对象,设计了故障测试算法,研究了3种Flash存储器的抗6Co γ射线总剂量的能力.首先研究了存储器经常出现的各种故障模型,并设计了相应的故障测试算法;其次搭建了以数字信号处理器(DSP)为核心的硬件测试电路;最后以6Co γ射线作为器件的辐照源,利用设计好的故障测试算法对辐照环境下的Flash存储器在总剂量值每增加10 krad (Si)后进行一次故障检测.结果显示,B和C器件在总剂量值达到20 krad (Si)时开始出现故障,40 krad (Si)时出现数据的0→1翻转,70 krad(Si)时翻转率高于2％;A器件在40 krad (Si)时开始出现故障,70 krad (Si)时出现0→1翻转,翻转率为0.6％.从抗辐照能力和数据保持能力两个角度观察认为,商业级的A器件要优于B和C器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李鹏程		8	23	3.0	4.0
2	刘远飞		2	1	1.0	1.0
3	刘海涛		5	87	3.0	5.0