Si衬底GaN外延生长的应力调控

• 作者: 巩小亮 彭立波 程文进 罗才旺 陈峰武 魏唯 鲍苹
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: Si衬底GaN 外延生长 金属有机物化学气相沉积 应力调控
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 27-31,41
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3421字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2018.04.007

摘要

针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si(111)衬底上制备了100 mm(4英寸)无裂纹GaN外延材料.试验结果表明,AlN/Al GaN各层厚度的合理搭配和低温AlN插入层可以起到良好的应力调控效果,无裂纹GaN层生长厚度达到1.6μm,晶体质量良好,表面粗糙度低于2 nm;HEMT结构外延片电学性能测试结果表明Si衬底GaN的生长质量满足制备器件的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程文进	中国电子科技集团公司第四十八研究所	8	3	1.0	1.0
2	罗才旺	中国电子科技集团公司第四十八研究所	4	2	1.0	1.0
3	陈峰武	中国电子科技集团公司第四十八研究所	3	2	1.0	1.0
4	巩小亮	中国电子科技集团公司第四十八研究所	3	2	1.0	1.0
5	魏唯	中国电子科技集团公司第四十八研究所	14	17	2.0	3.0
6	彭立波	中国电子科技集团公司第四十八研究所	7	5	2.0	2.0
7	鲍苹	中国电子科技集团公司第四十八研究所	2	2	1.0	1.0