基于3D仿真的LDMOS-SCR器件优化

• 作者: 刘湖云 梁海莲 王鑫 顾晓峰 马艺珂
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 可控硅 LDMOS 维持电压 3D TCAD
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 695-698,704
• 页数: 5页
• 分类号: TN433|TN34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170511

摘要

为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35 μm BCD工艺,在典型LDMOS-SCR(Dut1)基础上,制备了两种实验器件,即阳极环N+区的LDMOS-SCR(Dut2)和在阳极端引入漂移层的LDMOS-SCR(Dut3).在ESD应力作用下,器件开启后的3D TCAD仿真结果表明,相比于Dut1,Dut2和Dut3的电流密度更小,Dut2和Dut3的导通电阻更大.传输线脉冲的测试结果表明,器件的维持电压分别从2.74 V增至8.41 V和16.20 V,Dut2、Dut3的品质因数较Dut1分别增大了1.96倍、3.52倍.该3D TCAD仿真及版图改进方法可为高压IC的ESD防护设计提供有益参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心	115	265	9.0	11.0
2	王鑫	江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心	32	207	8.0	13.0
3	梁海莲	江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心	12	44	5.0	6.0
4	刘湖云	江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心	3	0	0.0	0.0
5	马艺珂	江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心	2	0	0.0	0.0