高介电氧化铪薄膜的制备与性能研究

• 作者: 刘慧君 廖荣 柯嘉聪 王家驹 赵飞兰 邓永健 郑若茜
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: HfO2 薄膜 磁控溅射 介电常数
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.05.10

摘要

采用磁控溅射法分别在Si片和玻璃片上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和HP4284A精密LCR测试仪对HfO2薄膜的表面形貌、微观结构、组成成分、光学特性和电学特性进行了分析.得出了以下结论:HfO2薄膜表面较为平坦致密,晶粒大小均匀,晶粒尺寸大部分在10nm～20nm之间;薄膜为多晶结构,O和Hf的原子比接近2:1,且随着氩氧比的增加,O和Hf的原子比呈上升趋势;薄膜在400nm～800nm波长范围内光的透射率都在85％以上,折射率都在2.0以上;漏电流较小,介电常数在16以上.高介电HfO2材料适合代替传统SiO2做栅介质材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖荣	华南理工大学电子与信息学院	11	18	2.0	3.0
2	刘慧君	华南理工大学电子与信息学院	3	2	1.0	1.0
3	柯嘉聪	华南理工大学电子与信息学院	3	2	1.0	1.0
4	邓永健	华南理工大学电子与信息学院	1	0	0.0	0.0
5	王家驹	华南理工大学电子与信息学院	1	0	0.0	0.0
6	赵飞兰	华南理工大学电子与信息学院	1	0	0.0	0.0
7	郑若茜	华南理工大学电子与信息学院	1	0	0.0	0.0