单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光

• 作者: 于璇 刘旭阳 张保国 杨盛华 王万堂 考政晓 韦伟 马腾达
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶SiC 电化学腐蚀 化学机械抛光(CMP) 氧化剂 去除速率
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 628-634
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2|TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.08.010

摘要

通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC (4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP).结果 表明,采用H2O2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速率,其促进作用与氧化剂浓度和抛光液的pH值密切相关.选择含体积分数5℃的H2O2、pH值为12的SiO2抛光液对SiC进行CMP,得到的Si面抛光速率可以达到285.7 nm/h.在含H2O2抛光液中引入适量的NaNO3和十二烷基硫酸钠,SiC表现出较高的腐蚀电位绝对值和去除速率.在H2O2扣NaClO抛光液体系中,SiC的去除速率与其腐蚀电位的绝对值正相关,该结果对实际应用有一定的借鉴意义.