氮气体积分数对ITO上制备InN薄膜物理特性的影响

• 作者: 张子旭 樊义棒 王婉君 王辉 耿柏琳 赵洋 高薇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 InN薄膜 氮气体积分数 氧化铟锡(ITO) 物理特性
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 764-769
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.10.005

摘要

采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备InN薄膜,研究了氮气体积分数对InN薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响.X射线衍射测试结果表明,所制备的InN薄膜均为六方纤锌矿结构,且随着氮气体积分数的增加,InN薄膜由沿(101)面择优生长逐渐变为沿(002)面择优生长.原子力显微镜结果表明,随着氮气体积分数的增加,InN薄膜表面粗糙度逐渐减小.此外,通过光致发光谱和光学吸收谱测得氮气体积分数为100％时制备的InN薄膜禁带宽度分别为1.45 eV和1.47 eV.霍尔测试结果表明,InN薄膜均呈现n型导电特性,且随着氮气体积分数的增加,其迁移率由4.57 cm2·V-1·s-1增加至12.2 cm2·V-1·s-1,载流子浓度由8.498× 1021cmn-3减小至2.041×1021cm-3,电阻率由16.08×10-4 Ω·cm减小至2.118×10-4 Ω· cm.该研究为InN在高效太阳电池及发光器件领域的应用提供有益的参考.