GaN HEMT经时击穿可靠性的研究进展

• 作者: 孙梓轩 杜成林 段向阳 蔡小龙 陆海
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管 综述 经时击穿 失效 可靠性
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0523

摘要

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借着高电子迁移率、低导通电阻和高击穿场强等优点,在高频器件和大功率开关器件等领域得到了广泛运用.但经时击穿会导致在正常工作电压范围内的器件发生失效,因此GaN器件的经时击穿成为了评估器件可靠性的关键因素.介绍了GaN HEMT经时击穿的现象及偏压依赖性,总结了经时击穿的物理机制,讨论和展望了场板、钝化层以及栅极边缘终端结构对提升器件的经时击穿可靠性的作用.