不同浓度的Si掺杂β-Ga2O3薄膜的制备及研究

• 作者: 张晓霞 邓金祥 孔乐 李瑞东 杨子淑 张杰
• 来源期刊: 真空
• 关键词: 射频磁控溅射 Si掺杂β-Ga2O3薄膜 带隙宽度 结构
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜|Thin Film
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: O469|TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2021.05.09

摘要

本文采用射频磁控溅射法在Si(100)和石英衬底制备纯 β-Ga2O3和不同浓度的Si掺杂β-Ga2O3薄膜,并且研究Si掺杂对β-Ga2O3薄膜结构、表面形貌和光学性质的影响.X射线衍射(XRD)测试结果表明,Si掺杂β-Ga2O3薄膜都未出现新的衍射峰,随着Si浓度的增加,β-Ga2O3的特征峰(111)逐渐向大角度方向移动.X射线光电子能谱(XPS)表明β-Ga2O3薄膜中成功掺入了Si元素.本文使用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的表面形貌,结果表明薄膜表面的粗糙度随着Si浓度增加呈现单调递增的趋势.紫外-可见光(UV-visible)透射光谱表明薄膜均在可见光波段具有高透光率,薄膜的光学带隙随Si掺杂浓度的变大而变大.Si掺杂实现了β-Ga2O3的带隙可调,表明Si是一种有潜力的掺杂剂.