半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 丑修建 刘冰 熊继军 穆继亮 郭茂香 陈东红
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  321-327
    摘要: 三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构.其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有...
  • 作者: 何君 王明涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  328-332
    摘要: 近年来,随着微电子系统不断向微小型化发展,3D集成技术的开发和应用倍受关注.3D技术通常使用硅通孔把RF前端、信号处理、存储、传感等功能垂直集成在一起,从而达到增强功能密度、缩小尺寸和提高可...
  • 作者: 刘利平 李国军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  333-337
    摘要: 设计了一款基于CMOS工艺的高动态范围宽带I/Q解调器.该解调器电路包括射频V/I转换电路、混频电路、中频缓冲电路,并且内部集成了高性能I/Q信号产生电路.此外,该解调器可以通过电流调控引脚...
  • 作者: 徐伟 杜鹏搏 王生国 蔡树军 高学邦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  338-341,360
    摘要: 采用GaN HEMT工艺,解决了GaN功率HEMT材料结构、大信号模型提取、电路设计、芯片测试等难题,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制出Ka...
  • 作者: 盛况 谢刚 邓永辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  342-346
    摘要: 为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,从而使集-基结在基区的耗尽大幅减小.通过对基区的优化...
  • 作者: 于坤山 刘钺杨 赵哿 金锐
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  347-351
    摘要: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有驱动简单、易于并联的优点,在高端领域得到广泛应用.以1 200 V非穿通型IGBT (NPT-IGBT)为例,仿真研究IGBT的器件结构对瞬态特性的影响(主要...
  • 作者: 刘红兵 孙国仁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  352-355
    摘要: 微波放大器的级间匹配是两个复数阻抗之间的双端口共轭匹配,但目前多数资料很少介绍这种共轭匹配电路的具体设计.基于微波传输线基本理论,详细介绍了用Smith导抗圆图直接进行级间共轭匹配的匹配理念...
  • 作者: 肖仕伟 谢晓峰 郑贵强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  356-360
    摘要: 随着第三代半导体GaN技术的发展成熟,GaN功率器件在各种电子系统中逐渐得到了广泛应用.由于GaN的功率器件具有击穿场强高和功率密度大的特点,因此很适合应用于功率放大技术中.结合商用GaN高...
  • 作者: 李亮 李岚 王勇 蔡树军 默江辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  361-364
    摘要: 报道了对SiC MESFET器件多种纵向结构设计进行的研究和分析,设计了采用单凹槽栅结构、多凹槽栅结构和介质埋栅结构三种不同纵向结构器件,并对三种器件结构进行了仿真优化.对于大功率微波器件,...
  • 作者: 冯俊波 宋世娇 宋曼 滕婕 郭进
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  365-367,398
    摘要: 细菌的快速检测可以对疾病、疫情和环境污染给出早期预警,以便及早控制,防止病菌的蔓延.介绍了一种可用于快速细菌检测的分子筛芯片,给出了分子筛芯片的制备方法.通过研究KOH溶液对硅的不同晶面的湿...
  • 作者: 卢维尔 夏洋 张祥 张阳 李超波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  368-376
    摘要: 随着半导体技术的发展,ZnO作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、载流子漂移饱和速度高和介电常数小等优点,更适合制作蓝光和紫外光的发光器件.与传统的薄膜制备技术相比,原子层沉积技术(ALD)...
  • 作者: 李健 董斌华 蒋西
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  377-382
    摘要: 将高纯Cu,In和S粉末按1∶0.1∶1.2(原子个数比)配比混合均匀,热蒸发沉积CuInS2薄膜,再将薄膜进行热处理.研究热处理工艺对薄膜性能和导电类型转换的影响.本研究制备的薄膜经360...
  • 作者: 彭文达 柴广跃 郑启飞 黄长统
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  383-387
    摘要: 在接入网中,低成本、小尺寸的同轴结构封装10 Gb/s光接收组件起着非常重要的作用.在微波频段,封装器件引入的寄生参数已经成为制约其高频特性的主要因素之一.基于传输线理论,建立了包含芯片、金...
  • 作者: 吕进来 孟范忠 张强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  388-391
    摘要: 论述了低气压放电与微放电的产生机理.以要求在低气压和真空环境下能正常工作的某星载微波固态功率放大器为例,详细介绍了在设计和生产中对低气压放电和微放电所采取的预防措施,重点从放气孔设计、多余物...
  • 作者: 吴建忠 周巍 李金刚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  392-398
    摘要: 随着金价的不断上升,集成电路封装成本越来越高.为此,集成电路封装厂商纷纷推出铜线键合来取代金丝键合,以缓解封装成本压力.但是纯铜丝非常容易氧化,为了提高键合生产效率及产品可靠性,目前封装厂商...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年5期
    页码:  399-400
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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