论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 半导体技术期刊 >
半导体技术2014年第1期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
分享
投稿
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
分享
文章浏览
目录
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点.GaN功率开关器件将成为高效率与超高频...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 在常规SiGe工艺下,设计了太赫兹频段的180 GHz信号产生、调制与探测电路.正交振荡器产生了四路相位相差90°的正弦信号,每路频率为45 GHz,线性叠加之后频率可达到180 GHz,开...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 设计了一种带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源电路,通过在特定支路上产生二阶正温度系数的电流补偿VBE的二阶负温度系数项来实现曲率补偿,从而得到更低温度系数的基准电压.同时设计了一种高效的启动...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 基于连续型功率放大器理论,提出一种高效低谐波失真宽带功率放大器的设计方法,并采用GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件设计了验证电路.结合连续型功率放大器理论和多谐波双向牵引技术,找到一簇...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升,现有的无线接入技术基本都处于百兆量级,已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求.其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求,利用...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 为了解决典型低压差线性稳压器(LDO)在全负载范围内的稳定性问题,采用了低阻抗设计的缓冲器来驱动调整管,即采用动态分流反馈偏置技术来降低缓冲器的输出电阻,以将调整管栅极处的极点推向更高的频率...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 针对无线传感网络对射频电路高速、低功耗方面日益增长的性能要求,设计了一款用于高频锁相环中的高速、低功耗4/5双模前置分频器.在分析真单相时钟(TSPC)电路工作原理的基础上,指出了该电路结构...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 采用内匹配技术和平面功率合成相结合的设计方法,设计并实现了一款S波段功率放大器.在设计过程中,先通过预匹配电路将功率芯片的阻抗适当提高,进而利用Wilkinson功分器进行功率合成.该放大器...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在电子系统中逐步得到了广泛应用.GaN功率器件具有工作效率高、功率密度大和击穿场强高的特点,非常适合用于...
-
10. 一种正电控制低温漂单片数控衰减器刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围,因而得到了推广和应用.正电控制、低温漂6 bit数控衰减器,各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构,并通过对衰减结...
-
11. 硅基GaN超级结器件研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 提出采用硅基F-离子处理技术研制硅基GaN超级结高压器件,并建立了三维电荷器件模型.实验结果表明,当栅极电压偏置于-1.25～-0.25 V时,漂移区长度为10 μm的新器件其峰值跨导gm(...
-
12. 高功率连续运转二极管列阵激光器刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 针对InGaAs/GaAsP/AlGaAs应变补偿量子阱非对称宽波导结构进行了实验研究.利用不同腔长,100 μm发光区,500 μm周期的管芯测量了外延片的内量子效率和内损耗,其分别为83...
-
13. 硅中微量硼元素的区熔掺杂刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 以高纯B2O3的水溶液为掺杂剂,采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式,实现了硅材料的微量硼掺杂,研制出了导电类型为p型、电阻率为3 000～5 000 Ω·cm的区熔用硅多晶.实...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术.采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析.研究了...
-
刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 半导体制造工艺中使用的高纯金属溅射靶材的利用率直接关系到靶材自身的使用寿命和芯片制作的成本,在靶材研制中需要重点关注.以晶圆制造中广泛应用的高纯铝、铜等靶材为例,介绍了溅射靶材的发展演变,并...
-
16. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年1期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
半导体技术统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
