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半导体技术2015年第5期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 由于半导体激光器具有体积小、结构简单、质量轻、转换效率高、可靠性好、寿命长、易于调制及与其他半导体器件易于集成等特点,可应用于军事、工业、医疗、通信等领域,尤其是在激光制导跟踪、激光雷达、激...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 针对集成片上天线(OCA)的超高频射频识别(RFID)标签设计了一款RFID专用协议的基带处理器,以满足RFID标签嵌入纸张及微小物体的防伪功能.由于OCA与读写器天线近场耦合获取能量有限,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 研究并设计了一款5 Gbit/s大摆幅电压模发送器,输出信号差分眼图高度可达1.2V.工作在1.2V电压下的输出驱动器由28个相同的子驱动器并联而成,且每个子驱动器都包含权重按照二进制关系递...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 设计了一种低功耗、宽频率调谐范围的伪差分环形压控振荡器(VCO).电路设计分为振荡环路设计和电流源设计两部分.在振荡器的振荡环路部分,提出了一种新颖的降低功耗的方法,即通过动态地调节接入振荡...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 信号完整性在某种程度上已经成为了限制当前高速电子系统设计与发展的瓶颈.建立了由过孔、焊点、印制线构成的高速电路板复杂互连结构单元模型,在1 ～ 10 GHz频率范围内针对模型进行信号传输性能...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 设计了一种应用于12 bit 250 MS/s采样频率的流水线模数转换器(ADC)的运算放大器电路.该电路采用全差分两级结构以达到足够的增益和信号摆幅;采用一种改进的频率米勒补偿方法实现次极...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 采用SiC衬底0.25 μm AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款X波段GaN单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).放大器采用三级级联拓扑,第一级采...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 基于0.25 μm 5 V/12 V 1P3M高压BCD (BJT/CMOS/DMOS)工艺设计实现了一款独立式低压光电式烟雾探测器专用集成电路(ASIC).分析了系统原理,重点设计了烟雾探...
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10. S波段网格型FBAR滤波器的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 介绍了一种单端口,端口阻抗为50 Ω的S波段宽带薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器,该滤波器采用网格型结构的FBAR滤波器芯片级联巴伦芯片实现.对宽带FBAR滤波器芯片的设计过程、工艺实现过...
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11. 高功率密度可调光LED光源技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 为解决LED光源对100W白炽灯的简单替换,同时更换后的系统能够满足与原照明系统具有相同的低色温、高显色性并方便调光的特点,开展了紧凑型、高功率密度、可调光LED光源的技术研究.通过对光源结...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽衬底上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极.利用原子力显微镜(AFM)分析丙酮体积分数对BDD电极的表面形貌和成膜质量的影响,利用循环伏安法(C...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 以Cd(NO3)2·4H2O,Na2 SeO3和Na2TeO3的混合液为电解液,采用电化学共沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备了CdSexTey薄膜样品.探讨了沉积电压、水浴温度、沉积...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要： 通过对InxGa1-xAs泊松比的两级优化,讨论了泊松比取值对InxGa1-xAs/GaAs异质结应变层中组分分析的影响.以PB模型计算的临界厚度为指导,设计了一组实验,采用分子束外延(MB...
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15. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年5期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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| 3. | 中文核心期刊 |
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