适用于高速闪存的超快无片外电容LDO

• 作者: 冉峰 郭家荣
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低压差线性稳压器(LDO) 片外电容 并联反馈 高能效基准 负载瞬态响应
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 338-342
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.05.004

摘要

提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆率.高能效基准电路在静态模式输出小基准电流以减少静态功耗,而在工作模式提供大的基准电流以增加闭环带宽和功率管栅端的摆率.设计的LDO应用于采用70 nm闪存工艺制造的、工作电压为2～3.6 V和存储容量为64 M的闪存中.测试结果表明,该LDO输出的调制电压为1.8V,最大输出电流为40 mA,在没有负载的条件下仅消耗8.5μA的静态电流,在满载电流变化时,用于闪存时仅有20 ns响应时间且最大输出电压变化仅为72 mV,满足高速闪存的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冉峰	上海大学微电子研究与开发中心	107	529	10.0	18.0
2	郭家荣	安徽理工大学计算机科学与工程学院	3	8	2.0	2.0