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半导体技术2019年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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151. 氧氩比对磁控溅射CuO薄膜特性的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法利用铜靶在硅片和蓝宝石衬底上制备CuO薄膜,研究氧氩比对CuO薄膜的晶体结构、表面形貌和光电特性的影响.X射线衍射测试结果显示,较低的氧氩比下,薄膜样品由Cu20和CuO组...
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152. 低损伤选择性发射极太阳电池激光工艺刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： 钝化发射极及背面接触(PERC)太阳电池技术叠加激光选择性发射极(SE)制备工艺是近年发展起来的提升PERC太阳电池效率的有效方法之一,但是在SE的制备过程中易发生磷硅玻璃(PSG)层被激光...
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153. PVT法生长大尺寸CdS单晶中的孔洞研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： CdS单晶是一种电学和光学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,近年受到人们的广泛关注.但是大尺寸CdS单晶在生长过程中易形成孔洞缺陷,质量难以控制,使其电学性能不稳定,制约着晶体的实际应用...
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154. 一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 基于0.13 μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR).通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电...
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155. 一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 设计了一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源电路.该基准源电路主要由启动电路、运算放大器、正温度系数(PTAT)电路、负温度系数(CTAT)电路和曲率补偿电路组成.电路中采用MOSFET替代...
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156. 一款低相位噪声的可编程分频器刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 设计了一款低相位噪声的可编程分频器,主要用于高鉴相频率的锁相环频率源中.电路设计采用2/3分频器级联结构,通过数选电路实现连续可变分频.从相位噪声产生机理、噪声来源及相位噪声与抖动的关系等方...
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157. 用于车载以太网物理层芯片的降压电路刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 为了给车载以太网物理层芯片内部的数字电路提供稳定的电源,设计了一种3.3V转换到1.2 V±25 mV的DC-DC降压(Buck)电路.电路采用恒定导通时间控制模式,包括片内集成的软启动电路...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成的反馈外腔半导体光源及其相关集成器件成为近年来的研究热点,大容差范围是该类器件提高成品率和降低制备成本的有效途径.采用有限差分光束传播法,针对应用于大尺寸Ⅲ-Ⅴ/Si混合...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 研究了纳米线高度与纳米线宽度对5 nm制程垂直堆叠式环栅纳米线场效应晶体管(GAA NWFET)中自热效应及微尺度空间效应的影响机理.利用Sentaurus TCAD软件对不同尺寸的纳米线器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 在深亚微米CMOS集成电路制造工艺中,应力对MOS器件性能的影响已经不可忽略.应力可以改变半导体载流子的迁移率,因此影响MOS器件的饱和电流.通过对不同版图布局的MOS器件饱和电流进行分析,...
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161. 覆盖银纳米线层硅基MEMS过滤芯片刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 通过在悬栅状微结构支架上涂覆银纳米线,制备出亚微米级孔径的微电子机械系统(MEMS)过滤芯片,并研究了该芯片的颗粒过滤性能以及相关影响因素.利用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺,在二氧...
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162. 用于C波段的薄膜体声波谐振器滤波器刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 研制了一种工作于C波段的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器.首先利用FBAR的一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型构成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 基于半绝缘InP衬底的辐射探测器在X射线成像领域有着广阔的应用前景.半绝缘InP衬底中Fe的掺杂量对InP基辐射探测器的性能有一定的影响.通过液封直拉(LEC)法和垂直梯度凝固(VGF)法生...
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164. 一种锂离子电池管理芯片的失效定位刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 针对一种锂离子电池管理芯片的失效定位进行了研究.某单机在测试时由于锂离子电池管理芯片失效,导致所采集的电压数据间歇异常跳变.经一致性分析,发现失效锂离子电池管理芯片老炼后的转换功耗和回读功耗...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 在变流器超同步等工况下,绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块中的快恢复二极管(FRD)相比于IGBT更容易老化,因此,对IGBT模块中FRD状态的在线监测至关重要.通过理论与实验研究了FRD正向...
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166. 三维集成电路中硅通孔复合故障的检测与诊断刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 在硅通孔(TSV)制造工艺中,TSV不可避免会出现电阻开路和电流泄漏同时存在的复合故障,且相比TSV单一故障,复合故障会大大降低三维集成电路的可靠性.以TSV作为环形振荡器的负载,以环形振荡...
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167. 显微红外测温中功率器件的边缘效应及其修正刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年12期页码:摘要： 针对显微红外热成像中对功率器件进行测温时边缘效应引起的测温误差,提出了采用精密位置调节装置进行修正的方法.分析了显微红外测温中边缘效应产生的原因,认为热膨胀等因素造成了被测功率器件表面两种不...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
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半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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