半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 冀婷 崔艳霞 李国辉 车韬 郝玉英
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  745-754
    摘要: 近年来,由于有机-无机杂化钙钛矿在提高太阳电池效率方面的突破受到广泛关注,其出色的表现主要归功于长载流子寿命和扩散长度、高光吸收系数以及低激子结合能等优点.这些独特的优点使其在电学和光学等领...
  • 作者: 何勇畅 吴凯翔 曹军 蔡运城 赵君鹏 高海军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  755-761
    摘要: 毫米波/太赫兹信号源作为微波系统的关键电路,普遍应用在无线通信、电子对抗、毫米波成像等领域,稳定性高、相位噪声低的毫米波/太赫兹信号源对整体链路起到至关重要的作用.基于IHP 130 nm ...
  • 作者: 吴洪江 王雨桐 薛昊东
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  762-766,789
    摘要: 基于InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款F频段三倍频放大多功能芯片.将三倍频器与驱动放大器级联,实现了F频段三倍频放大的单片集成.前端三倍频器电路由输入匹配电路、输入低通滤波...
  • 作者: 刘轩 朱友华 李毅 王美玉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  767-772
    摘要: 由于Ⅲ族氮化物材料自身的物理特性,InGaN/GaN量子阱结构存在极化效应导致能带倾斜,极大地影响了LED的辐射复合效率.采用阶梯状量子阱的结构来改善LED的发光特性,通过金属有机物化学气相...
  • 作者: 孙捷 杨新 王乐 王嘉露 郭伟玲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  773-777
    摘要: 为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层.定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导...
  • 作者: 周桃飞 徐科 李昂 王伟凡 王建峰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  778-782
    摘要: 采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓(GaN)外延层上实现了纳米孔与纳米薄膜两种结构.通过扫描电子显微镜(SEM)对GaN的表面...
  • 作者: 于璇 刘旭阳 张保国 杨盛华 考政晓 韦伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  783-789
    摘要: 通过电化学和化学机械抛光(CMP)实验研究了紫外光及催化剂对GaN电化学特性及去除速率的影响.电化学实验结果表明,采用K2S2O8作为氧化剂时GaN的腐蚀电位随氧化剂的浓度增大而降低.在H2...
  • 作者: 刘争晖 宋文涛 张春玉 徐科 徐耿钊 程亮亮 钟海舰 陈科蓓
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  790-794
    摘要: 超薄氮化镓(GaN)是一种厚度在纳米尺度的少层GaN薄片,相对于GaN体材料,量子限域效应会使超薄GaN的禁带宽度增大,超薄GaN有望应用于深紫外电子器件.通过使用微机械剥离法将制备出的少层...
  • 作者: 乌李瑛 柏荣旭 沈赟靓 王英 田苗 瞿敏妮 程秀兰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  795-802
    摘要: 以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜.分别研究了水和臭氧作为共反应...
  • 作者: 王珺 陶鑫
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  803-807
    摘要: 引线框架上倒装芯片(FCOL)封装常用于I/O数量少的功率芯片封装.由于FCOL封装中铜引线框架和硅芯片的热膨胀系数差异大,热载荷作用下热失配应力导致与焊点相连的芯片表面微结构发生失效破坏....
  • 作者: 乔治 吴丰顺 周龙早 杨伊婷 王晶 龚德权
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  808-812
    摘要: 采用高分子复合纳米电压变阻薄膜与金属电极矩阵构成瞬变脉冲能量吸收矩阵(EAMTP),将其按印刷电路板(PCB)制程内嵌到PCB板夹层中,使PCB板上所有敏感元件从贴装开始就得到保护,实现电子...
  • 作者: 刘剑桥 吕佳蓉 吴丽婷 洪吴松 翟朝霞 金国华 高凤娇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  813-818
    摘要: 针对量子点气体传感器的阻值过大难以进行数据采集的问题,设计了一种基于MPS-010602采集卡的高精度气体传感器测试系统.系统硬件主要包括多通道电压采集模块、温度控制模块、温湿度采集传感器模...
  • 作者: 张恒晨 耿同贺 郑宏斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年10期
    页码:  819-823
    摘要: 宽带微波微系统是由系列化、标准化封装的微波功能模块构成的复杂微波组件.针对组件测试指标多的需求,设计了具有一键化测试、数据可重构、参数可配置、数据自动采集、结果自动存储等多项功能的宽带微波微...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
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