超薄氮化镓制备及其光学性质

• 作者: 刘争晖 宋文涛 张春玉 徐科 徐耿钊 程亮亮 钟海舰 陈科蓓
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄氮化镓(GaN) GaSe 氨化 光学带隙 光致发光(PL)光谱
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 790-794
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.10.008

摘要

超薄氮化镓(GaN)是一种厚度在纳米尺度的少层GaN薄片,相对于GaN体材料,量子限域效应会使超薄GaN的禁带宽度增大,超薄GaN有望应用于深紫外电子器件.通过使用微机械剥离法将制备出的少层硒化镓(GaSe)薄片(厚度为1～10 nm)与块状GaSe作为前驱体,氨气作为氮源,在管式炉中不同温度下退火进行氨化,得到超薄GaN及块状GaN.通过X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、光致发光光谱及拉曼光谱对氨化后样品的形貌、成分、光学特性进行了表征.结果 表明,超薄GaN的光学带隙比块状GaN大0.16 eV,拉曼光谱中的纵模光学峰也会随着超薄GaN的厚度减小发生蓝移.