半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 周旻 沈玉鹏 郁发新 陈旭斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  489-493,499
    摘要: 提出了一种带宽为1~32 MHz、以1 MHz为步进的可调的连续时间Δ-∑模数转换器(ADC),并且在标准65 nm CMOS工艺下进行了流片验证.设计采用传统三阶级联反馈型(CRFB)结构...
  • 作者: 孙玲 杨羽佳 王玉娇 赵继聪 黄静
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  494-499
    摘要: 为满足可穿戴集成电路的低功耗应用需求,设计了一种自偏置全集成的带隙基准电压电路.该电路采用纯CMOS结构,利用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压与温度呈反比、热电压与温度...
  • 作者: 刘康建 刘晨威 华秀琴 居水荣 朱樟明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  500-505,525
    摘要: 基于开关电容分割结构设计并实现了一种分辨率为6~10 bit可配置的逐次逼近寄存器型(SAR)模数转换器(ADC).对这种电容分割结构的功耗性能、静态非线性以及电源噪声抑制模型等进行了详细分...
  • 作者: 丁毅 王欣 解宁 陈世军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  506-510,519
    摘要: 在一些特殊图像处理任务如模式识别、目标跟踪和图像压缩等中需要图像传感器能够实现动态的可编程帧频和多分辨率.介绍了一种CMOS图像传感器设计,可以通过编程方式获得动态像素分辨率.在普通模式下,...
  • 作者: 叶晖 徐肯 林雁飞 梁振
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  511-519
    摘要: 设计了一款应用于GSM/WCDMA/LTE发射机中的多模10 bit数模转换器(DAC),该DAC采用了5+5的分段式电阻型结构,达到面积和性能优化折中.通过数字可编程设计,该DAC可根据不...
  • 作者: 张在涌 李少鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  520-525
    摘要: 介绍了一种应用在DC-DC变换器芯片中的片内电源电路.其核心是设计了一种带“浮地”结构的对称型跨导放大器电路,既可显著提高电路的瞬态响应速度,也减少了硬件成本,且电路结构简单、易于实现.此外...
  • 作者: 刘方罡 要志宏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  526-530
    摘要: 设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成正电压控制开关.该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进.针对PHEMT开关低频(0.1 GH...
  • 作者: 何玉娟 刘远 章晓文
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  531-536
    摘要: 随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据.采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65...
  • 作者: 刘军 吴永辉 吴洪江 崔雍 樊渝 魏洪涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  537-541,547
    摘要: InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制.研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方...
  • 作者: 吴元芳 田阳雨 罗军 金鹰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  542-547
    摘要: 利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究.通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似“U”型分布.通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿...
  • 作者: 史月增 张丽 程红娟 赖占平 赵堃 金雷 齐海涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  548-552,563
    摘要: 采用金属系统物理气相传输(PVT)法自发成核方式,生长获得长宽均大于1 cm、厚度为毫米量级的m面AlN单晶块体.通过对不同m面AlN单晶生长宏观形貌、微观表面的测试分析,初步可判定其生长存...
  • 作者: 于成磊 于龙宇 刘孟杰 段赛赛 王伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  553-557
    摘要: 研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量.在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5和50 nm的图形化Ni,采用低温(500,600和700℃)下的...
  • 作者: 何明 张金晶 张静 朱慧平 李博 李多力 郑中山 陈曦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  558-563
    摘要: 基于Al/Al2O3/Si金属氧化物半导体(MOS)电容结构研究了30 MeV Si离子辐照前后Al2O3栅介质的泄漏电流输运机制.研究结果表明,相较于辐照前,Si离子辐照在栅介质层引起的正...
  • 作者: 吴凌 黄彩清 龚瑜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  564-570
    摘要: 采用高温存储(HTS)试验、高温高湿存储试验(UHAST)、高温高湿加电(THB)试验、微观组织分析和电路分析等方法,研究了Au-Al-Si系统在热应力、湿度、热电应力作用下的金属间化合物(...
  • 作者: 孙科伟 张颖 程红娟 金雷
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年7期
    页码:  571-576
    摘要: 采用平行及垂直配置下的偏振散射装置,对物理气相传输(PVT)法同质籽晶生长的六方AlN晶体进行偏振喇曼研究,测量了激发光偏振方向与光轴成不同角度时各个振动模的偏振喇曼光谱,得到不同振动模式的...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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