InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性

• 作者: 刘军 吴永辉 吴洪江 崔雍 樊渝 魏洪涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InP双异质结双极晶体管(DHBT) 附加相位噪声 正交鉴相 压控振荡器(VCO) 单片微波集成电路(MMIC)
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 537-541,547
• 页数: 6页
• 分类号: TN322.8|TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.07.009

摘要

InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制.研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计.详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的“正交鉴相”在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz.基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	刘军	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	30	47	4.0	6.0
3	魏洪涛		4	5	2.0	2.0
4	吴永辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	9	2.0	3.0
5	樊渝	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	0	0.0	0.0
6	崔雍	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	0	0.0	0.0