半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  89-98
    摘要:
  • 作者: 王宏兴 王玮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  99-109
    摘要: 第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关器件在高速、大功率领域具有广阔的应用前景.概述了GaN功率开关...
  • 作者: 孙向明 赵聪 郭迪 陈强军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  110-115
    摘要: 基于GSMC 130 nm工艺设计并制备了一款4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动电路芯片.该芯片核心电路主要包括限幅放大器(LA)、输出级驱动电路、带隙基准电压源、8 bit数模...
  • 作者: 冯洁 窦怀阳 薛晓勇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  116-121
    摘要: 新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充.为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(FT)专用集成电路...
  • 作者: 张晓朋 李朋 陈雪龙 高博
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  122-127
    摘要: 采用增强型GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款具有超低噪声系数、低功耗的放大器芯片.采用电流复用型共源结构,源极加入负反馈电感,输入级采用低损耗的片外匹配结构,降低了...
  • 作者: 丁理想 张晓朋 李沛鸣 谷江 高博
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  128-132,162
    摘要: 基于180 nm绝缘体上硅(SOI) CMOS工艺,设计了一款大功率、低插入损耗的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关.提出了一种体区自适应偏置技术,无需偏置电阻对开关管体区进行偏置.采用并联...
  • 作者: 刘健 张子旸 王旭 秦亮 蒋成 陈红梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  133-137,168
    摘要: 调Q光纤激光器在光纤传感、激光雷达、激光加工和光纤通信等众多方面有着广泛的应用.半导体量子点(QD)由于具有较高的损伤阈值和宽光谱特性,是一种优良的可饱和吸收体(SA),但是目前制备发光中心...
  • 作者: 卓助航 周坤 崔昊杨 张宇 胡丰晔
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  138-144
    摘要: IGBT模块中材料的热特性和传导特性与内部温度场分布密切相关,但传统热网络模型往往忽略这一特性,造成结温估计出现偏差.针对此问题提出了一种包含实时温度反馈修正的热网络模型,在考虑异质材料的热...
  • 作者: 司鹏 吕伟锋 姚丰雪 章凯
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  145-149
    摘要: 根据纳米MOSFET的紧凑模型,采用HSPICE的蒙特卡罗分析方法,研究随机掺杂波动(RDF)引起的纳米MOSFET模拟/射频性能包括栅极电容、截止频率、跨导和输出电导等参数的变化标准差,同...
  • 作者: 冀婷 崔艳霞 张恒康 李国辉 王文艳 王英奎 郝玉英 韩娜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  150-157
    摘要:
  • 作者: 刘卫丹 张胜男 张颖 王健 程红娟 练小正
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  158-162
    摘要: β-Ga2O3单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺.采用导模法分别制备了非故意掺杂β-Ga2O3单晶和Si/Mg/Fe掺杂的β-Ga...
  • 作者: 张雷
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  163-168
    摘要: 高压大功率IGBT器件主要用于高压直流输电、轨道交通等领域.为避免在工作中发生失效,此类器件在应用前需进行一系列可靠性测试,其中高温阻断(HTRB)试验是最重要的可靠性测试之一.针对高压大功...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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