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半导体技术2020年第6期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 前驱体材料广泛应用于集成电路的关键工艺中,如外延、光刻、化学气相沉积以及原子层沉积.其中硅基前驱体是重要且用量较大的一个分支,近年来一直是先进集成电路材料领域研究的热点之一.以集成电路制造工...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 设计了一种集成数字内核和数模转换器(DAC)的高速、高分辨率直接数字频率合成器(DDFS).其核心模块相幅转换器采用混合坐标旋转数字计算(CORDIC)算法,以缩短幅度计算的时钟周期,减少硬...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 面向数字型光隔离放大器芯片应用,设计了一款高分辨率和全集成的接收端电路.基于斩波稳定带隙基准源和数据恢复电路进行电路设计.带隙基准源采用斩波稳定运算放大器结构,减小了电路在低频的闪烁噪声;数...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 采用0.5 μm CMOS工艺,设计了一种高效率、低成本的混合型H桥输出驱动器.该输出驱动器采用甲乙类放大器和丁类放大器相结合的非对称H桥结构,并通过反馈环路使两种不同类型的放大器协调工作....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响.该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 基于n型β-Ga2O3制备了具有T型栅结构的高性能Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET).采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Fe掺杂的半绝缘β-Ga2O3衬底上同质外...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 设计了GaN基具有超结结构的电流孔径垂直电子晶体管(SJ CAVET)和具有梯度掺杂超结结构的电流孔径垂直电子晶体管(GD-SJ CAVET).采用Silvaco TCAD软件对两种器件的电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 基于自主开发的600 V/30 A IGBT芯片研制了一款高性能智能功率模块(IPM).该IPM采用引线框架、印制电路板(PCB)和直接覆铜(DBC)结构技术方案,对焊接和注塑封装工艺进行了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管.采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压.提出了采用分步腐蚀法对高台面...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 采用垂直梯度凝固(VGF)法生长的InP单晶晶锭中部出现气孔,观察了气孔的形成过程,解释了气孔的产生机理,分析了晶体中气孔对晶体质量的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 以吡咯(Py)单体与氧化石墨烯(GO)混合液作为前驱体,通过改变二者的摩尔比,采用控制电位电解库仑力法沉积了聚吡咯(PPy)薄膜与PPy/GO复合薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变...
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12. SiC单晶体放射状裂纹缺陷研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 在采用物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)单晶的过程中,放射状裂纹是常见的缺陷.使用微分干涉显微镜对SiC单晶体和晶体抛光片表面形貌进行观测,结合晶体突变光滑面生长模型,对PVT法生...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年6期页码:摘要： 目前倒装芯片用陶瓷外壳的表面处理工艺以化学镀镍/浸金(ENIG)为主,而ENIG带来的黑盘现象使封装产品面临润湿不良和焊接强度不足等一系列问题.化学镀镍/化学镀钯/浸金(ENEPIG)是EN...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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