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半导体技术2020年第8期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 多晶硅广泛应用于太阳电池领域.多晶硅铸锭的结晶质量决定了后续晶锭的加工和光伏组件的性能及寿命.碳化硅和氮化硅是多晶硅铸锭中最常见的两种非金属夹杂物.系统概述了多晶硅铸锭中氮化硅及碳化硅的形貌...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 设计并实现了一款超宽带高速模数转换器(ADC)芯片.该ADC采用时间交织的架构,提高了数据转换的速率;改进了前端接收电路,增加了信号的模拟输入带宽;使用优化的自举开关电路以增加信号采样率;并...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 基于0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片.芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 蓝光LED的光效衰减可以使器件在高电流密度下的发光效率急剧降低.研究了GaN材料中不同位错类型对蓝光LED光效衰减效应的影响.通过控制物理气相沉积AlN缓冲层厚度及GaN缓冲层的有无,得到了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法.该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数.该方法简单、易于实施....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 介绍了一种锗硅(Si1-xGex)沟道双栅(DG)负电容(NC)隧穿场效应晶体管(TFET),在Sentaurus TCAD软件中通过耦合Landau-Khalatnikov (LK)模型的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一.对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶.采用...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 采用金属有机气相外延(MOVPE)方法在6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长了GaN HEMT材料.使用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜和微区拉曼光谱仪等对材料的表面形貌、晶体质...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 利用三路脉冲金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了非极性a面AlGaN外延层.使用高分辨率X射线衍射系统、扫描电子显微镜、原子力显微镜、光致发光测试系统对...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 采用电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上制备了150 nm厚的Ta2O5薄膜,研究原位生长温度(150,250和350 ℃)和后退火工艺对Ta2O5薄膜性能的影响.X射线衍射测试结果表明,当衬底原位...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响.分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片的TTV...
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12. 高可靠抗辐射CMOS复合栅工艺刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 针对CMOS器件栅氧化层的早期失效问题,研究了化学气相沉积(CVD)氧化层/热氧化层的双层复合栅结构.对高温氧化(HTO)层、等离子体增强正硅酸乙酯(PETEOS)和低压正硅酸乙酯(LPTE...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 采用熔融氢氧化钠对生长在蓝宝石衬底上的InxGa1-xN外延层进行化学腐蚀,通过深紫外光致发光光谱仪测量InxGa1-xN的激发光谱来控制其腐蚀过程,用硫酸和氨水对腐蚀InxGa1-xN后得...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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