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摘要:
研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响.分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片的TTV和翘曲度,采用数显千分表测量贴片及单面抛光后晶片表面5点厚度的变化.发现采用液体蜡贴片时,加工晶片的TTV较好,蜡层的均匀性是影响晶片TTV的主要原因,蜡层厚度均匀性差会使晶片TTV变差,同时也会使晶片发生不规则的形变.并且分析了旋涂参数对液体蜡蜡层均匀性的影响.结果 表明,在滴蜡时间为2.3s、低速旋转速度为700 r/min、低速旋转时间为6s、高速旋转速度为3 000 r/min、高速旋转时间为7s的条件下,贴片表面5个点的厚度偏差小于2μm,加工晶片的TTV小于5μm.
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文献信息
篇名 有蜡贴片工艺对4英寸SiC抛光片几何参数的影响
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 有蜡贴片工艺 SiC晶片 总厚度变化(TTV) 翘曲度 液体蜡
年,卷(期) 2020,(8) 所属期刊栏目 半导体制造技术
研究方向 页码范围 638-644
页数 7页 分类号 TN304.2|TN305.1
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.08.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高飞 中国电子科技集团公司第四十六研究所 13 17 3.0 4.0
2 李晖 中国电子科技集团公司第四十六研究所 13 18 3.0 3.0
3 张弛 中国电子科技集团公司第四十六研究所 21 19 3.0 4.0
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SiC晶片
总厚度变化(TTV)
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半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
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