6英寸SiC衬底上MOVPE生长GaN HEMT材料

• 作者: 冯志红 尹甲运 张志荣 房玉龙 李佳 郭艳敏 高楠
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN/AlGaN/GaN SiC GaN HEMT 应力 金属有机气相外延(MOVPE)
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 623-626,637
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.08.008

摘要

采用金属有机气相外延(MOVPE)方法在6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长了GaN HEMT材料.使用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜和微区拉曼光谱仪等对材料的表面形貌、晶体质量和应力进行了测试和表征.测试结果表明,GaN外延材料(002)面和(102)面的半高宽(FWHM)分别为204"和274",表面粗糙度(扫描范围为5μm×5 μm)为0.18 nm,GaN外延材料具有较好的晶体质量.拉曼光谱测试结果显示,6英寸GaN外延材料应力为压应力,并得到有效控制.非接触霍尔测试结果显示AlGaN/GaN HEMT结构材料二维电子气(2DEG)迁移率为2 046 cm2/(V·s),面密度为6.78×1012 cm-2,方块电阻相对标准偏差为1.85％,结果表明,制备的6英寸GaN HEMT结构材料具有良好的电学性能.