半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 罗付 牛新环 张银婵 朱烨博 侯子阳 屈明慧 闫晗
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  81-86,133
    摘要: 氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工.因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题.CMP过程中,抛光液的组分及其性质对抛光效果起决定性的作用.对...
  • 作者: 景永凯 范超 孟宪成 刘哲 王蒙军 郑宏兴 杨瑞霞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  87-93,104
    摘要: 采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS2薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS2薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和...
  • 作者: 熊承诚 孙亚宾 石艳玲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  94-99,139
    摘要: 设计并研究了一种带有轻掺杂漏(LDD)和斜向扩展源(OES)的双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET),并利用Sentaurus TCAD仿真工具对栅长及扩展源长度等关键参数进行了仿真分析.对...
  • 作者: 何锦龙 穆继亮 耿文平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  100-104
    摘要: 研究了Z切700 nm厚的单晶铌酸锂(LiNbO3)薄膜电畴的调控方法.利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对单晶LiNbO3薄膜的晶向和形貌进行了表征,并通过外加电场对单晶L...
  • 作者: 陈文静 黄勇 王威 刘文峰 乐政 孙孪鸿
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  105-110,116
    摘要: Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜因其元素储量高、较佳的光学带隙、优异的电学性能等优势而得到广泛关注.以硝酸铋为铋源、乙酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法制备Na-Bi掺杂的CZTS薄膜.研究Na...
  • 作者: 续晨 周建伟 王辰伟 田源 李越 崔志慧 李森
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  111-116
    摘要: 采用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂,针对CeO2磨料水溶液的分散性差以及浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中正硅酸乙酯(TEOS)/氮化硅(Si3N4)的去除速率选择性难以控制的问...
  • 作者: 吴嘉兴 刘英坤 谭永亮 刘佳佳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  117-121,151
    摘要: 降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不同能量的脉冲激光进行退火实验,利用X射线衍射(X...
  • 作者: 袁肇耿 刘永超 张未涛 高国智 赵叶军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  122-125,151
    摘要: 重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法.使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线.从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬...
  • 作者: 胡毅 李振国 侯佳力 国千崧 邓新伟 胡伟波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  126-133
    摘要: 为缩短高速模数转换器(ADC)中高位(MSB)电容建立时间以及减小功耗,提出了一种基于分段式电容阵列的改进型逐次逼近型(SAR) ADC结构,通过翻转小电容阵列代替翻转大电容阵列以产生高位数...
  • 作者: 冯俊波 杨明祥 刘大鹏 廖海军 夏鹏辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  134-139
    摘要: 基于CMOS兼容的硅基光子集成工艺,设计并实现了一种具有高边带抑制比的硅基单片集成单边带调制器.单边带调制器采用正交混合耦合器实现上下两臂等幅度、90°相位差的射频信号加载,基于硅基双驱动马...
  • 作者: 冯宇翔 左安超 李斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  140-144
    摘要: 设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC).对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后...
  • 作者: 王媛 汪西虎
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  145-151
    摘要: 为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器.采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模...
  • 作者: 李逵 吴婷 赵帅 郭雁蓉 杨宇军 代岩伟 秦飞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年2期
    页码:  152-158
    摘要: 对一种典型2.5D封装结构在回流焊工艺过程的热应力进行仿真.通过对比分析传统热力学仿真方法与基于生死单元技术的热力学仿真方法,研究了计算方法对热应力计算结果的影响.在相同参考温度下,由不同计...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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2. 中国科技论文统计用刊
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