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半导体学报(英文版)2000年第6期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 亚微米CMOS/SOS器件发展对高质量的100-200纳米厚度的薄层SOS薄膜提出了更高的要求.实验证实;采用CVD方法生长的原生SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进.该工艺...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 用金属蒸发真空弧离子源注入机将Y离子注入硅,制备出特性良好的硅化物.用掠角沟道技术和透射电子显微镜分析了这种硅化物的结构.用束流密度为25μA/cm2的Y注入硅可形成三层结构的硅化钇.硅化钇...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 利用LP-MOCVD技术在GaAs(001)衬底上生长了高质量的立方相InGaN外延层.研究了生长速率对hGaN质量的影响,提出一个简单模型解释了在改变TEGa流量条件下出现的In组分的变化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 报道了低压MOCVD生长的同-GaN薄膜不同位置的微区Raman散射光谱.观测到了微区结构不完整对Raman谱的影响.通过X射线衍射分析,证实了该样品晶体质量是不均匀的,而且微结构缺陷的存在...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 在一定的温度以下,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去,当温度升高超过这个温度(称为淬变温度)以后,这种持续的光电导现象会消除,称为稳恒光电导现象.而且这种光电导效应...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-xGex/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 报道用脉冲ArF激光烧蚀SiC陶瓷靶,在800℃Si(111)衬底上淀积SiC薄膜,再经920℃真空(10-3Pa)退火处理,制备出晶态α-SiC薄膜.用FTIR、XPS、SEM、XRD、T...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 采用PECVD技术在P型硅衬底上制备了a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜,利用AES和TEM技术研究了这种薄膜微结构的退火行为.结果表明:a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜经...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 研究了存在于聚合物发光二极管(PLED)中的一种可逆的"负阻"现象及短期衰退行为.当加在PLED上的正向偏压大于10V之后,其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折,即电流或光强骤增而器件...
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12. 填充碳纳米管/石墨的有机导电膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 介绍一种填充碳纳米管/石墨的有机导电膜的制备及导电膜的组成与处理条件对其导电性能影响的研究.实验发现,当碳纳米管/石墨的配比为1/7-1/4,有机聚合物/导电填料的配比为27.6/72.4-...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 采用SOI/CMOS工艺成功地研制出沟道长度为0.8μm的SOI器件和环振电路,在5V和3V电源电压时51级环振的单门延迟时间分别为82ps和281ps,速度明显高于相应的体硅电路.由于采用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 设计了一种10位50MS/s双模式CMOS数模转换器.为了降低功耗,提出了一种修正的超前恢复电路,在数字图象信号输出中,使电路功耗降低约30%.电路用1μm工艺技术实现,其积分线性误差为0....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 利用Z参数噪声网络等效电路的分析方法,得到了用器件Z参数表示的微波双极晶体管噪声参数的表达式,通过对微波低噪声双极晶体管的高频参数进行测试和分析,并把器件的网络参数和物理参数相结合,来对器件...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法--温度斜坡快速评价法,并建立了自动评估系统,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能,和传统方法相比,耗时少,所需样品少,所得结果和传统方法一致....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 在亚微米IC器件的铝金属化工艺中,采用了阻挡层和硅化物后,发现随着铝淀积温度的升高,铝的阶梯覆盖率有所提高.为克服高温淀积带来的问题,采用了两步的冷/热铝溅射和浸润层等工艺代替原来的铝溅射....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年6期页码:摘要： 从集总参数模型出发,分析了热敏电阻型热探针的热传导机制和热物性测量机理,说明了扫描热探针的信号与样品表面温度,样品与探针间的热阻以及样品热导率等因素有关.在不同的工作条件下,可用以进行表面的...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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