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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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目录
  • 1. 稀磁半导体Zn1-xCoxSe中的电子云延伸效应及压力对电子云延伸效应的影响
    作者： 欧阳楚英 雷敏生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1233-1237
    摘要： 通过对Co2+自由离子的3D电子径向波函数进行分析,引入了一个电子云延伸效应修正因子κ来修正这一波函数,从而得到了稀磁半导体Zn1-xCoxSe晶体中Co2+受到了晶体场作用的3D电子径向波...
  • 2. GaN在Si(001)上的ECR等离子体增强MOCVD直接生长研究
    作者： GU Biao Li Xiaona Qin Fuwen Wang Sansheng XU Yin 徐茵 李晓娜 王三胜 秦福文 顾彪
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1238-1244
    摘要： 研究了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学气相沉积(PEMOCVD)技术在Si(001)衬底上,低温(620～720℃)下GaN薄膜的直接外延生长及晶相结构.高分辨透射电镜(H...
  • 3. 微电子机械器件压膜空气阻尼的一般化雷诺方程
    作者： 孙远程 杨恒 王跃林 鲍敏杭
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1245-1248
    摘要： 推导建立了一个用于微电子机械(MEMS)器件压膜空气阻尼的一般化微分方程.该方程很好地解决了分析有限尺寸孔板的边界和孔板的厚度对压膜阻尼的影响的困难.结合边界条件求解该方程可以得到各种压膜阻...
  • 4. 4H-SiCN离子注入层的特性
    作者： 张义门 张玉明 杨林安 王守国
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1249-1253
    摘要： 研究了在4H-SiC p型外延层上用N离子注入制备n型层的方法及其特性,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行了模拟.为了测试注入层的特性,制备了横向肖特基二极管和TLM (tran...
  • 5. 非线性自动压扩的开关电流电路行为级建模方法
    作者： 唐璞山 曾璇 王伟 苏仰峰 陶俊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1254-1261
    摘要： 提出了一种新的基于非线性压扩函数自动构造的开关电流电路行为级建模方法,从而简化电路的建模和仿真.与原有的建模方法相比,该方法不仅可以对模型的误差分布进行有效地调控,而且能够降低模型的误差.为...
  • 6. 集成低功耗CMOS压控振荡器及其二分频器
    作者： 池保勇 石秉学
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1262-1266
    摘要： 实现了应用于无线局域网收发机的集成低功耗CMOS压控振荡器及其二分频器.压控振荡器是由在片对称螺旋型电感和差分容抗管组成的LC负阻型振荡器,而二分频器采用了ILFD结构.由于采用了差分LC元...
  • 7. 亚50nm自对准双栅MOSFET的结构设计
    作者： 徐秋霞 殷华湘
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1267-1274
    摘要： 描述了一种用综合性方法设计的亚50nm自对准双栅MOSFET,该结构能够在改进的主流CMOS技术上实现.在这种方法下,由于各种因素的影响,双栅器件的栅长、硅岛厚度呈现出不同的缩减限制.同时,...
  • 8. 基于第一性原理计算的C、Si、Ge的原子间相互作用势及晶格动力学
    作者： 刘英 陈难先
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1275-1280
    摘要： 运用第一原理赝势技术,计算了金刚石结构晶体C、Si、Ge的结合能曲线以及总能随晶格畸变的变化.根据陈氏三维晶格反演得到了C-C、Si-Si、Ge-Ge的原子间相互作用对势;根据弹性系数的计算...
  • 9. GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱
    作者： 吴荣汉 李联合 梁晓甘 江德生 潘钟 边历峰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1281-1285
    摘要： 研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光(PL)谱以及光调制反射(PR)谱.发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足Varshni关系,而是呈现出反常的S...
  • 10. 微氮硅单晶中的空洞型原生缺陷
    作者： 余学功 李立本 杨德仁 阙端麟 马向阳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1286-1290
    摘要： 研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中,空洞型原生缺陷(voids)的分布行为和其退火性质.从两种晶体不同位置取样,观察与大尺寸voids相关的流水花样缺陷(FPD)沿晶体轴向的分布,然后在1050...
  • 11. 脉冲激光沉积法生长Zn1-xMgxO薄膜
    作者： 叶志镇 赵炳辉 邹璐 黄靖云
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1291-1294
    摘要： 采用脉冲激光沉积法,生长出没有组分偏析,晶体质量好的Zn1-xMgxO薄膜(x=0.2).研究了衬底温度对Zn0.8Mg0.2O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响,发现最佳衬底温度为650℃左右...
  • 12. 发光二极管外延片质量控制的新方法
    作者： 苏哲 董占民 陈浩明 韩立
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1295-1297
    摘要： 介绍了一种利用新型发光二极管外延片光致发光光谱在线检测仪对GaP发光二极管外延片进行在线无损检测和质量控制的方法.通过对检测结果的统计分析,得出了对生产工艺的改进意见.最终实现了提高GaP外...
  • 13. 微型电磁继电器的制作和仿真分析
    作者： 张宇峰 李德胜
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1298-1302
    摘要： 介绍了一种基于MEMS技术的微型电磁继电器的制作过程和仿真分析.这种微继电器的大小约是4mm×4mm×0.5mm,主要采用普通的微加工技术来完成全部制作工艺.与传统继电器相比,这种继电器采用...
  • 14. 硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析
    作者： 杨沁清 王启明 王红杰 胡雄伟 邓晓清
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1303-1307
    摘要： 使用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导的两种偏振补偿方法的可行性.结果表明采用应力释放槽和调节上包层热膨胀系数都可改善波导的偏振相关性.采用应力释放槽可以释放波导中的由于硅衬底与二氧化硅热膨胀...
  • 15. 载流子吸收对SOIMach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响
    作者： 严清峰 余金中
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1308-1312
    摘要： 分析了载流子吸收对SOI材料制作的Y分支型Mach-Zehnder干涉型电光调制器/开关性能的影响,并提出了改进器件性能的一些措施.
  • 16. 基于FD-BPM方法的阵列波导光栅模拟
    作者： 何赛灵 周勤存 戴道锌
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1313-1319
    摘要： 给出了一种采用FD-BPM方法对整个阵列波导光栅(AWG)器件进行方便而精确地模拟的方法和一个AWG设计实例的模拟结果,并对模拟结果进行了分析.由模拟得到的器件基本参数与实际设计值符合得很好...
  • 17. 一种500MHz32×32bit高速五端口CMOS寄存器堆
    作者： 华林 李文宏 沈泊 王佳静 章倩苓
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1320-1325
    摘要： 采用0.35μm CMOS工艺,实现了一个500MHz、32×32bit的高速五端口寄存器堆.它可以同时进行二个写操作和三个读操作,并且在同一时钟周期完成先写后读.在电流工作方式下,通过设计...
  • 18. 静态绝热CMOS记忆电路和信息恢复能力
    作者： 刘莹 方振贤
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1326-1331
    摘要： 通过等效电路分析、考虑参数选取和整体时序电路的实现,提出具有信息恢复能力的静态绝热CMOS记忆电路.认为整体绝热电路结构最好融合输入、输出电路和记忆电路、时序电路为一体,由主触发器集合和从触...
  • 19. 可综合算术运算单元的性能建模及VLSI结构优化
    作者： 沈泊 章倩苓
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1332-1337
    摘要： 提出了一种可综合算术运算单元的性能评估与建模方法.该方法以单位门面积及延迟模型为基础,在设计的早期即可估算电路的面积、延迟等性能指标,从而便于设计者进行VLSI结构的优化,避免设计叠代;并以...
  • 20. 一种新的标准单元增量式布局算法
    作者： 吴为民 李卓远 洪先龙 顾钧
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年12期
    页码:  1338-1344
    摘要： 提出了一种新的增量式布局方法W-ECOP来满足快速调整布局方案的要求.与以前的以单元为中心的算法不同,算法基于单元行划分来进行单元的插入和位置调整,在此过程中使对原布局方案的影响最小,并且尽...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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