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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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目录
  • 1. 介电常数对比和填充率对光子晶体中光子禁带和局域态的调节
    作者： 于丽娟 国伟华 陈沁 黄永箴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1233-1238
    摘要： 用有限时域差分法(FDTD)和Padé近似分析了二维光子晶体的能带结构和缺陷引起的局域态.针对介电常数对比和填充率对完整光子晶体中光子禁带以及缺陷态的影响作了研究.计算了不同缺陷的光子晶体模...
  • 2. 用CMOS工艺改善集成开关电容DC-DC变换器的特性
    作者： 余宁梅 王立志 赵敏玲 陈治明 隋晓红
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1239-1243
    摘要： 介绍了一种具有改进电路结构和改进工艺的单片集成3.3V/1.2V开关电容DC-DC变换器,其控制脉冲频率和固定导通比分别为10MHz和0.5.为了提高变换器的输出电流,采用CMOS工艺来制造...
  • 3. 900MHz CMOS锁相环/频率综合器
    作者： 任俊彦 章倩苓 赵晖
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1244-1249
    摘要： 给出了一个900MHz CMOS锁相环/频率综合器的设计,设计中采用了电流可变电荷泵及具有初始化电路的环路滤波器.电荷泵电流对温度与电源电压变化的影响不敏感,同时电流的大小可通过外部控制信号...
  • 4. 5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器
    作者： 冯军 熊明珍 王志功 胡艳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1250-1254
    摘要： 采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采...
  • 5. Vg=Vd/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响
    作者： 胡靖 许铭真 谭长华 赵要
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1255-1260
    摘要： 讨论了最差应力模式下(Vg=Vd/2)宽沟和窄沟器件的退化特性.随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化.不同沟道宽度pMOSFETs的主要退化机制是界面态产生.沟道增强的器件退化是...
  • 6. 新型薄膜SOI高压MOSFET的研制
    作者： 李文宏 罗晋生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1261-1265
    摘要： 研制了两种薄膜SOI高压MOSFET,一种是一般结构,另一种是新的双漂移区结构.两者的栅宽均为760μm,有源区面积为8.58×10-2mm2,测试表明其击穿电压分别为17V和26V,导通电...
  • 7. 一种新的光学临近校正方法
    作者： 吴为民 李卓远 洪先龙 王旸
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1266-1271
    摘要： 提出了一种新的光学临近矫正算法.首先建立了一套高效并且适用性强的规则描述,然后提出了一种新的规则运用方法.算法在规则数据表的基础上通过v-SVR方法建立规则描述同矫正数据之间的数学表达式,使...
  • 8. 注C+外延硅的光致发光特性
    作者： 李怀祥 李玉国 王强 石礼伟 薛成山
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1272-1275
    摘要： 在N型外延硅中注入C+并经高温退火形成了SiC沉积.不同条件下进行阳极氧化腐蚀后,在260nm光激发下获得了340nm和430nm的紫外和紫光峰,它们的单色性很好,半高宽(FWHM)约为10...
  • 9. Mn+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性
    作者： 俞慧强 修向前 卢佃清 张荣 李杰 沈波 郑有炓 顾书林
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1276-1279
    摘要： 利用离子注入法将磁性离子Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的GaN薄膜中,获得了稀磁半导体(Ga,Mn)N.光致发光谱结果显示由于Mn的注入,使GaN中常见的黄带发射被大大抑制.在反...
  • 10. p型GaN材料的表面物理特性
    作者： 孙长征 罗毅 薛松 郝智彪 郭文平 韩彦军
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1280-1284
    摘要： 运用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段对表面状态不同的p-GaN样品进行了分析.在样品表面制作了Ni/Au电极并进行了I-V特性测试.实验结果表明样品表面镓氮元...
  • 11. 面向对注氢硅片中微结构的影响
    作者： 周旗钢 屠海令 张果虎 王敬 肖清华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1285-1288
    摘要： 把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出...
  • 12. 双异质外延SOI材料Si/γ-Al2O3/Si的外延生长
    作者： 林兰英 王俊 王启元 王建华 谭利文 邓惠芳 郁元桓
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1289-1292
    摘要： 利用MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技...
  • 13. 相位误差对AWG波分复用器非相邻通道串扰影响的分析
    作者： 刘德明 李蔚 黄德修
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1293-1296
    摘要： 分析了工艺制作过程中引入的阵列波导相位误差以及由其所引起的非相邻通道间串扰性能的劣化,给出了相应的分析公式.利用该公式,可以简捷地分析所设计的AWG型器件的非相邻通道串扰水平,为优化AWG型...
  • 14. 基于矢量光场的VCSEL数值模型
    作者： 林世鸣 赵鼎
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1297-1302
    摘要： 提出了一种基于矢量光场的氧化层限制型VCSEL的数值模型,在综合考虑激光器中电场方程、热场方程、载流子方程的前提下,采用矢量方程对器件中的光场分布进行描述,计算表明所得结果能够更合理地反映器...
  • 15. 大气状态下AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的机理分析
    作者： 刘庆纲 匡登峰 张世林 胡小唐 郭维廉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1303-1306
    摘要： 通过AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的实验得到了凸出的Ti膜氧化物高度与偏置电压成线性关系,并和针尖扫描速度成负对数关系,在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,分析得到了合...
  • 16. 一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法
    作者： 张国义 曾志斌 朱传云 沈君 王存达
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1307-1311
    摘要： 提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法.利用该方法,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并...
  • 17. 热光Si共振腔型可调谐滤波器
    作者： 余金中 左玉华 成步文 李传波 毛容伟 王启明 黄昌俊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1312-1317
    摘要： 报道了利用Si基键合技术和化学机械抛光工艺制作的垂直结构的Fabry-Perot可调谐滤波器,调谐机理为pn结正向注入电流引起的热光效应.调谐范围可达23nm,响应时间约为300μs,并给出...
  • 18. MOS环振式数字加速度传感器
    作者： 刘理天 岳瑞峰 张兆华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1318-1323
    摘要： 提出了一种新的环振式数字加速度传感器,它采用做在硅梁上的MOS环形振荡器作为敏感元件,两个反方向变化的环振输出信号通过集成在片内的混频器实现频率相减.该传感器具有准数字输出、灵敏度高、温度系...
  • 19. 12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的CMOS电流舵D/A转换器实现
    作者： 何怡刚 吴杰 江金光
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1324-1329
    摘要： 提出了一种12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的电流舵D/A转换器实现电路.12位DAC采用分段式结构,其中高8位采用单位电流源温度计码DAC结构,低4位采用二进制加权电流源DAC结构,该...
  • 20. 标准数字CMOS工艺中LC谐振回路的改进和应用
    作者： 朱臻 洪志良 王涛 苏彦锋
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1330-1334
    摘要： 提出了一种在标准数字CMOS工艺条件下,提高片上螺旋电感性能的实用方法,以及在缺少双层多晶硅电容的情况下,可以大大节约芯片面积的一种电容实现方法.介绍了这两种方法在电路设计中的一种应用,即利...
  • 21. 影响全息光刻图形质量的因素
    作者： 冯伯儒 周亚训 张锦 陈芬
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1335-1339
    摘要： 使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行了数值模拟计算,讨论了记录介质显影前后特性的改变和再现时全息掩模复位精度对光刻图形质量的影响,并找出了影响图形质量的主要因素.在此基础上设计...
  • 22. 一个集成电路工艺诊断实例
    作者： 严利人 徐春林 李瑞伟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年12期
    页码:  1340-1344
    摘要： 介绍了一种计算机自动PCM(process control module)工艺参数分析系统,可用于集成电路制造过程中的工艺诊断和分析.在具体处理上应用了主成分分析方法,能够从大量数据中提取其...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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