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半导体学报(英文版)2006年第z1期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 研究了AlGaN/GaN HEMT器件Ti/Al/Ti/Au四层金属结构欧姆接触的形成过程.通过系统研究退火条件获得了较低的欧姆接触电阻,实现了10-7Ω·cm2的欧姆接触率,并在此基础上对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来.发展的解析模型完全基于MOS...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 用分子束外延技术在BaF2衬底(111)晶面上生长了PbSe单晶薄膜,研究了不同Se/PbSe束流比(Rf)对薄膜表面形貌的影响.在无Se束流(Rf=0)下制备的PbSe薄膜表面呈现三维岛状...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30M...
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98. 直接键合微腔结构的光谱特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到...
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100. ZnO纳米棒的图形化生长及其场发射特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 介绍了用氢离子注入技术和阳极腐蚀方法在硼掺杂p-(100)型硅晶片上制备图形化的纳米硅(SiNC)薄膜工艺,并在这种图形化衬底上成功生长了图形化的ZnO纳米棒.场发射测试表明制备的ZnO纳米...
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101. HfOxNy栅介质薄膜的电学特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性...
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102. 一种适合芯片技术的语音特征提取电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 设计一种便于芯片技术实现、结构简单的语音特征提取电路.它由带通滤波器组、整流电路和低通滤波器构成.同时,借此电路阐述一种充分利用器件特性设计电路的思想.这种思想以完成功能为目的,不以完成算法...
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103. 非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用...
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104. 直接键合SOI晶圆的工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 使用直接键合晶圆工艺制作SOI晶圆.分别讨论了晶圆净度与表面平坦度对于键合晶圆缺陷的影响,还通过将氧化层生长在不同晶圆上的方法,比较不同方法对于挠曲度的影响.结果表明,晶圆的凹陷造成键合晶圆...
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105. 一种带宽可调的连续时间滤波器的设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年z1期页码:摘要： 讨论了一种连续时间低通滤波器的电路结构和基本原理,介绍了调整连续时间滤波器通带频率的方法.对电路进行了计算机模拟,模拟结果和理论计算基本一致.电路采用1.2μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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