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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 用作转换器的压电元件的一个重要特性是衡量其能量转换效率.常用来表征这一特征的参数是机电耦合系数.对于机电耦合系数这一参数,没有一个统一的定义,对目前常用的三种定义方式进行了分析,通过一个实例...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 研究了SnO2对ZnO-Nb2O5-TiO2陶瓷相结构和微波介电性能的影响.随Sn添加量的增加,晶相组成逐步从(Zn0.15Nb0.30Ti0.55)O2相转变为ZnTiNb2O8相,相对介...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 以醋酸钡和钛酸丁酯为原料,应用溶胶–凝胶法在Al2O3基片上制备了BaTiO3薄膜.具体分析了原料、溶剂、催化剂、溶液的pH值、螯合剂和表面活性剂对溶胶–凝胶体系的影响,以及加水量、乙二醇加...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 掺杂可以改变锆钛酸铅系铁电陶瓷的性能.着重对掺La3+、Mn2+对PZT陶瓷结构与性能的影响作了一些研究和探讨,通过对掺两种添加物的样品的介电、铁电性能的比较发现:掺La3+可以增大剩余极化...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 以BaTiO3和TiO2粉末进行固相反应来合成Ba2Ti9O20主晶相,通过添加烧结助剂及少量Ca、Nd、W改性剂来降低瓷料的烧结温度,使瓷料的介电性能达到高频MLCC电性能要求.研究结果表...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 为了提高SnO2-LiZnVO4系湿敏材料的性能,采用共沉淀法制备出SnO2-K2O-LiZnVO4系纳米湿敏粉体.考察了液相掺杂K+对材料湿敏性能、复阻抗特性和电容特性的影响.实验结果表明...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 在Y掺杂的钛酸锶铅中,分别添加过量PbO、SiO2、ZrO2制备之半导体陶瓷样品,在居里点(约120℃)以上具有强的PTC效应,升阻比接近5个数量级.其中,SiO2或ZrO2增强了居里点以下...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 采用两步溶胶–凝胶法制备出ATO(掺锑氧化锡)-SiO2复合抗静电薄膜.通过DTA-TG、XRD、SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密.薄膜中SiO2为无...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 通过测量丝网印刷后膜层的表面粗糙度来表征厚膜电子浆料的流平性,研究了常用表面活性剂司班85及卵磷脂含量对浆料流平性的影响.结果表明,随着有机载体中表面活性剂含量增加,厚膜电子浆料的流平性变差...
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10. 厚膜镍导电浆料研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 研究了厚膜镍导电浆料的制备及其烧结工艺,讨论了浆料中玻璃粉含量、烧结温度、保温时间及烧结气氛对烧结膜的附着力、方阻和可焊性的影响.结果表明:镍粉与玻璃粉的相对质量比100/8的厚膜镍导电浆料...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的ZnO:Al透明导电膜.研究了薄膜的结构和光电特性与衬底温度的关系,薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的c...
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12. 超细银粉的制备及其导电性研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 用化学还原法在醇水体系中制备出平均颗粒粒径为0.8～1.2 μm、分散性好的超细球银.讨论了表面活性剂、还原剂的种类、温度、硝酸银含量及pH值对球银颗粒粒径和分散性的影响.将所得超细球银在水...
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13. 电子元件包装用抗静电薄膜的制备刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 采用聚乙烯二氧噻酚(PEDT)为导电物质,聚氨酯为主要成膜物质在包装材料(PP)表面制备电子元件包装用抗静电薄膜.随着w(导电材料)从8%增加到16%,膜的表面电阻从109Ω/□降低为107...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 采用SiC/SiO2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了SiC/SiO2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发...
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15. ITO纳米粉的低温制备刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 介绍了一种ITO纳米粉的低温、易于量产的制备方法.将铟锡氢氧化物置于充满氩气的高压釜,在300℃、2 MPa的条件下就可制得5～20 nm的ITO纳米粉.用XRD、TEM分析ITO纳米粉的形...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为1 000℃样品具有最强的发射强度.认为经碳注入所引入的杂质C = O复合体是发光的重要因素;经...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2004年7期页码:摘要： 为了提高机载开关电源中半导体器件并联系统可靠性评估的准确性,运用经验Bayes法和经典的统计方法,研究了该系统的可靠性评估问题.分别给出了系统可靠性指标的经验Bayes估计,极大似然估计.利...
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-2028 | CN | 51-1241/TN |
| 邮编 | 610051 | 电子邮箱 | journalecm@163.com/zhubei5148@163.com |
| 电话 | 028-84391569 | 网址 | www.cnelecom.net |
| 地址 | 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室 |
电子元件与材料评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年） |
电子元件与材料统计分析
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