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微纳电子技术2008年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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16974
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 以TiCl4为原料,加入硫酸盐作为添加剂,采用沸腾回流强迫水解法成功地制备了粒度小、粒径分布窄的锐钛型纳米TiO2,用粒度分布仪、透射电子显微镜、X射线衍射计检测了产物形貌、粒径及晶型.同时...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 采用磁控溅射法在Au/Si基片上制备了铌酸锌铋BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7)薄膜.在基片温度200℃、本底真空1×10-3 Pa条件下,BZN靶溅射0.5 h,作为自缓冲层;然...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 利用薄膜生长技术,通过控制材料的厚度来调整阱宽,控制组分来调整阱深,得到了不同光电特性的超晶格半导体材料.为克服"方形"势阱过于简单和理想的缺点,引入非对称相互作用势来描述组分超晶格量子阱....
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 以辛烷为分散相、水为连续相,对宽度为200μm、深度为40μm的T型交错微通道内水包油型液液相微反应器的形成进行了实验研究.通过改变分散相和连续相流量比例,在T型节点的下游发现射流状液滴和滴...
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65. 翘板式射频MEMS开关的研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一种新型的翘板式静电射频微系统开关,给出了理论模拟,结构分析结果和工艺制作方法.该结构采用了5μm厚的无应力单晶硅作为开关的可动部分,可以缓解薄膜应力变形.翘板式结构解决了传统静电设计...
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66. MEMS可变电容的研究现状及进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 介绍了微机电系统(MEMS)技术以及MEMS可变电容器,基于MEMS的可变电容具有高Q值、低损耗、宽调节范围和低噪声等优点,阐述了MEMS可变电容器设计的基本原理,列举了现有的几种典型结构模...
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67. 低k材料的化学机械抛光研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、SiOCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺的相互联系和作用.在Sikder和K...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系.该体系较适合lnAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 设计了一种时钟产生电路,该电路采用基于低功耗锁相环(PLL)的方法,用于产生13.56 MHz ASK 100%、10%调制射频卡所需要的时钟.针对射频识别(RFID)系统,锁相环采取了特殊...
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70. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年5期页码:摘要：
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71. P型ZnO薄膜制备的研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： ZnO是一种性能优异的"低温蓝光工程"宽带隙Ⅱ一Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实现n型向P型导电的转变.为此,阐述了ZnO薄膜的P型掺杂机理,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 在研制了A1GaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5 mm大栅宽A1GaN/GaN HEMT.直流测试中,Vg=0 V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4 A,最大...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点,使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展.采用国产SiC外延片,解决了欧姆接触、干法...
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74. 带间共振隧穿二极管(RITD)刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 带间共振隧穿二极管(RITD)是导带与价带间发生共振隧穿的两端器件,其特点是启始电压VT和峰值电压VP.较低,电流峰谷比PVCR较大.在导出RITD物理模型和其电流密度方程的基础上重点介绍了...
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75. 晶粒度对纳米铜粉抗氧能力的影响刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 以KBH4和维生素C(VC)为还原荆,以CuSO4·5H2O为原料,以EDTA为络合荆,PVP为分散剂,用液相还原法制备不同晶粒度的纳米铜粉.不同晶粒度的纳米铜粉同时在空气中放置1 h后,进...
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76. 室温光荧光谱分析中的几个典型问题刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 根据光荧光谱的测试原理,针对具体的化合物半导体材料的层次结构,归纳、总结出两个实用的分析模型:光荧光谱的厚度干涉模型和透明衬底发光模型.应用厚度干涉模型,对GaN外延材料、带DBR结构的MQ...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 研究了一种新型的、应用于X波段的高隔离度RF MEMS电容式并联开关结构.相比于普通的并联结构,该开关通过共面波导(CPW)传输线与地平面之间的衬底刻槽结构将隔离度提高了7 dB,关态时在1...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 对一种适合于X波段通信系统的RF MEMS可变电容进行了结构设计和工艺实现.该电容用高阻硅作为衬底材料,采用凹形和T形梁结构,整个结构由金材料组成;静电驱动,采用驱动信号与微波信号分离的方法...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用Intersema公司基于MEMS的数字压力传感器MS5534B,利用海拔高度与气压和温度的关系,设计并制作了一个微型气压高度计.利用MSP430F449的I/O口模拟同步串行外设接口(...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 硅橡胶具有生物兼容性好且制作技术与微细加工工艺兼容的优点,采用硅橡胶作为MEMS驱动器中的振动膜具有较好的应用前景.研究了一种微型电磁驱动器,由内嵌永磁体阵列的柔性硅橡胶(PDMS)振动膜和...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 分析了传统光学投影光刻分辨力的物理极限,介绍了国内外各大器件和设备厂商、科研单位等为了突破这个物理极限而做出的努力;从原理、发展状况及优缺点等几个方面对比分析了下一代光刻技术,最后对未来几十...
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82. 声表面波器件电子束淀积Al膜研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 研究了声表面波器件研制过程中铝膜厚度准确控制技术及Al膜均匀性提高的技术.由理论分析推导出片架上的各点膜厚分布.根据片架各点的膜厚分布及蒸发空间场分布,设计所需的各项参数;计算出调整板的形状...
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83. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年6期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 具有核/壳结构的复合纳米材料兼有外壳层和内核材料的性能,由于其结构和组成能够在nm 尺度上进行设计和剪裁,因而具有许多独特的光、电、磁、催化等物理与化学性质.简要介绍了实验室在过渡金属纳米复...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件.该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流大于3.0 A...
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86. 大功率激光二极管阵列正向特性研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 大功率激光二极管阵列的正向特性失效问题严重影响器件的成品率和可靠性.对典型的失效现象进行了分类,确认了主要的失效现象是正向漏电.结合分阶段测试统计和对失效样品的显微分析,确定了造成激光二极管...
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87. VO2热色智能玻璃研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 二氧化钒(VO2)是一种受人关注的热致变色材料,在68℃时发生从半导体相-金属相的转变,且相变可逆.在介绍智能玻璃在建筑节能中潜在应用的基础上,重点阐述了VO2纳米薄膜应用于智能型节能玻璃的...
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88. 静电纺丝制备复合纳米纤维研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 静电纺丝技术近年来在制备纳米纤维领域得到广泛应用,目前已成功制备出多种不同类型的纳米纤维,尤其在制备复合纳米纤维方面取得了显著成果,被认为是制备纳米纤维最有效的方法之一.总结了静电纺丝技术制...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 分析了影响常规介电电泳过程中粒子所受介电电泳力的因素和发生正、负向介电电泳的条件.经过合理的简化和假设,建立了一个芯片微通道中常规介电电泳的二维数学模型.数值计算结果给出了微通道中的电势和电...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 介绍了聚合物Parylene,包括其制备工艺和Parylene薄膜的图形化.着重介绍了Parylene在微流体系统的应用,包括微阀、微泵和微通道;在可植入微系统中的应用,包括人工耳蜗和视网膜...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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