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微纳电子技术2008年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 设计了在128°旋转Y切割X传播方向LiNbO2基片上研制了数字微流体微加热器.它由压电基片上两个叉指换能器构成,当由功率放大器放大后的射频电信号加到叉指换能器时,其激发的声表面波经微流体后...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 在WO3粉体材料中加入一定质量比的添加剂(Pt、Pd、PtO2、PdCl2、Sno2、SiO2、Al2O3),恒温600℃烧结1 h制成旁热式厚膜乙醇气体敏感元件.采用静态电压测量法,研究了...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： nA级电流检测电路是扫描隧道显微系统的重要组成部分.为更准确地提取和测量隧道电流信号,设计了一种基于高精度运放的nA级电流放大和检测电路,检测电路根据反馈电流放大型测量原理设计.为减小噪声干...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 介绍了消除多晶Si太阳电池薄膜中缺陷的各种钝化方法,主要包括利用氢等离子体、SiNx:H薄膜、Se单原子层、二元(Al2O3)x(TiO2)1-x合金、SiO2/Si/SiO2量子阱以及湿法...
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95. 半导体激光器焊接的热分析刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要： 为了解决大功率半导体激光器的散热问题,利用有限元软件ANSYS,采用稳态热模拟方法,分析了半导体激光器内部的温度分布情况,对比分析了In、snPb、AuSn几种不同焊料烧结激光器管芯对激光器...
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96. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年7期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究.介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5 mS/mm.2 GHz下测试,微波功率附加效率提高1...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了AlGaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱材料,利用该材料制成3 mm宽、填充因子20%的半导体激光器阵列(版型100μm/500...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 为更好地研究小富勒烯分子的形成机理和存在方式以及更好地了解它们的各种物理化学性质,利用密度泛函理论,在B3LYP/6-31G*方法和基组水平下对分属D2h、C2h、C2、Ci和D3d对称群的...
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101. 表面活性剂在纳米材料合成中的应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 阐述了表面活性剂分散机制及在纳米材料制备中的分散作用,介绍了以表面活性剂为基础的各种纳米材料制备方法的机理:如以表面活性剂形成的各种有序聚集体为模板的模板法、用表面活性剂稳定形成的微乳液为介...
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102. Si基SiC微通道及其制备工艺刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出了一种用于MEMS的硅基SiC微通道(阵列)及其制备方法,它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相淀积方法制备SiC.在Si(100)衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构,凹槽之间留出台面,凹...
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103. Si微电容式加速度计动态参数的提取刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了一种电容式微Si加速度计的基本结构以及静电激振法用于电容加速度计动态参数测试的基本原理.提出了在开环条件下,采用静电激振法对该类型电容加速度计动态参数测试的电路方案.通过分析获得了扫频...
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104. MEMS压阻加速度传感器阻尼特性研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 研究了空气阻尼对MEMS压阻加速度传感器性能的影响,建立了传感器动力学模型和空气阻尼模型,分析了空气间隙大小与传感器阻尼系数的相互关系,通过控制空气间隙可以达到控制加速度传感器阻尼的目的.根...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了利用反射式高能电子衍射(RHEED)方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展.从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向...
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106. GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层.经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加...
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107. 双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺.在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中...
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108. 半圆形半导体激光器阵列准直工艺方法研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 通过试验,分析并验证了半圆形半导体激光器阵列准直后光束指向发生偏移的原因,证明了烧结过程对准直光束指向性的影响.为避免烧结过程对准直工艺的影响,设计了一种的新的半圆形半导体激光器阵列的准直工...
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109. CMP中抛光垫的性质研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 以IC1000/Suba Ⅳ抛光垫为例,综述了影响抛光垫性能的各种因素,以文献相关数据为依据,着重分析了抛光温度和修整力对抛光垫性能的影响.从分析结果可以得出:IC1000/SubaⅣ比单层...
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110. 技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要：
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111. 产品刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要：
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112. 市场刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要：
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115. GaAs高效率高线性大功率晶体管刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等.通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通...
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116. 大功率半导体激光器步进加速老化研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 介绍了半导体激光器寿命测试的理论依据,给出了由电流应力决定的寿命测试的数学模型,据此对AlGaInAs/AlGaAs/GaAs 808 nm大功率半导体激光器进行常温电流步进加速老化实验.由...
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117. Mg掺杂AlGaN的特性研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活.用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分...
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118. 聚合物木堆微结构制备的研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 提出一种新的、成本低廉的方法制备大面积聚合物两层木堆结构.首先分别对刻槽硅片模板进行亲水和疏水表面处理,以形成表面自由能不同的表面.将两块表面能不同的模板微条纹垂直对齐后紧压形成微通道三维网...
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119. 叉指型微电极交流电渗泵的阻抗谱分析刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 阻抗谱的研究对于优化交流电渗泵的结构具有重要意义.通过分析交流电渗泵的结构和工作原理,指出双电层的电容特性和电解质溶液的电阻特性,建立了用来研究交流电渗泵阻抗谱的RC等效电路.在最佳电极结构...
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120. MEMS硅梁谐振式传感器的研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 通过对硅梁谐振式传感器工作原理的研究,结合Intellisuite软件对硅微悬臂梁谐振器的振动特性进行了分析,设计了具有悬臂梁结构的电热激励/压阻拾振的谐振式传感器,这种传感器具有体积小、功...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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