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微纳电子技术2008年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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22
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16974
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121. 微驱动器的压电-弹性耦合分析刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 压电弹性耦合结构是实现MEMS微流体驱动的一种重要方式,掌握压电-弹性振动的耦合机理是微流体驱动协调控制的关键.针对压电与硅膜耦合微驱动结构,基于压电效应和弹性薄板理论,采用Rayleigh...
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122. 扫描电子显微镜在栅光刻工艺中的应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 阐述了扫描电子显微镜在解决栅光刻在线监测中遇到的问题和解决过程.在充分的理论分析基础上,通过大量实验研究,克服了光刻胶在高能电子辐照下变形、变性的问题;削弱了光刻胶样品表面荷电对图像质量的影...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 阐述了金属化学机械抛光的机理.将半导体制造工艺中的nm级平坦化技术、化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金工艺中,在实现精密物理材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率...
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124. 一种高集成LTCC射频前端电路刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 设计并制作了一种基于LTCC技术的系统级封装多通道射频前端电路.讨论了优化系统结构设计和LTCC材料选择,采用小信号S参数和谐波平衡法进行系统原理仿真设计,用三维电磁场法进行多层LTCC基板...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要： 介绍了鉴频鉴相器(PFD)在其发展过程中产生的结构,并对每一种结构的优缺点进行了比较.通过对原有PFD电路结构进行重新设计,在传统D触发器PFD的基础上提出了两种新型PFD:传输门D触发器型...
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126. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年9期页码:摘要：
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127. InP中的深能级杂质与缺陷刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作.讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子寿命谱(...
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128. 纳米尺寸自旋阀中电流驱动的自旋波发射刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出了在纳米赝自旋阀中的电流感应自旋传输矩的磁动力学描述,成功地解释了在磁纳米多层结构中的电流驱动微波发射和电流感应磁化翻转现象.自旋流极化由在电导匹配时的自旋流和化学势连续性边界条件决定....
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129. 功率VDMOSFET单粒子效应研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理.研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺.通...
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130. 高压VDMOSFET击穿电压优化设计刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构.讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMO...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 以TiCl4为原料,采用水解沉淀法,并在空气气氛下于不同温度煅烧2 h,制备得到纳米TiO2.采用XRD、TEM及UV-Vis对样品进行表征.在卤钨灯照射下,研究了不同煅烧温度、不同pH值以...
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132. 磁场内双声子作用对量子点中极化子的影响刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 为突出双声子相互作用对磁场内量子点中极化子的影响,简化了理论模型,把库仑势对电子质量的影响用电子在能带中的质量来代替.使用线性组合算符和么正变换对系统进行理论计算,导出了半导体量子点中磁极化...
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133. ZnO纳米线及其器件研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 介绍了氧化锌(ZnO)纳米线(NW)的性质,总结了ZnO NW的气相法、液相法、模板生长法、自组装法等制备原理和方法,详细阐述了ZnO NW基光电、压敏和气敏等纳米器件的研究现状,如在发光二...
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134. 电磁激励微谐振式传感器的设计与制作刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 利用微电子机械加工技术成功研制出电磁激励一电磁拾振硅谐振梁式压力传感器.传感器以"H"型双端固支梁为谐振器,采用差分检测结构.工艺制作采用体硅加工工艺,并且采用一种减小封装应力的结构完成压力...
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135. 声表面波传感器检测电路的研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 针对目前声表面波(SAW)传感器检测电路的缺点,通过对SAW传感器信号的特征分析,设计了一种简单实用的SAW传感器检测电路,降低了硬件成本.该电路利用直接数字频率合成技术产生不同的频率信号,...
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136. Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺.采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅...
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137. 碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况的影响刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 阐述了化学机械抛光(CMP)技术在硬盘基板加工中发挥的重要作用,介绍了SiO2碱性抛光液的化学机械抛光机理以及抛光液在化学机械抛光中发挥的重要作用.使用河北工业大学研制的SiO2碱性抛光液对...
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138. 基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35 μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件.在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75 V,反向击...
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139. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年10期页码:摘要：
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140. InP 中的深能级杂质与缺陷(续)刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要：
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141. GeSi/Si共振隧穿二极管刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/Si RTD、应力型GeSi/Si RTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构.着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出Ge...
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142. 小发散角量子阱激光器研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 使用三层平板波导理论分析了半导体量子阱激光器远场分布.针对大功率激光器讨论了极窄和模式扩展波导结构方法减小垂直方向远场发散角,得到了极窄波导结构量子阱激光器远场分布的简化模型,获得了垂直发散...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料.通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质...
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144. 透明导电薄膜对太阳能平板集热器性能的影响刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 在介绍透明导电薄膜光学性质的基础上,分别讨论了不同情况下,太阳能平板集热器盖板采用镀有透明导电薄膜的玻璃对集热器的光热转换效率和保温性能的影响.结果表明,当集热器吸热板表面没有覆盖选择性吸收...
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145. RF MEMS开关的发展现状刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： RF MEMS开关是其各种组件、系统级应用中最基本的器件之一,具有低损耗、低功耗、线性化好、尺寸小及易集成等特点.对各种开关驱动机制的特点进行了比较,指出具体驱动机制的选取应符合实际应用的需...
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146. 被动微混合器的研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 综述了被动微混合器的混合原理、结构、微制作技术以及在数值仿真计算等方面的研究进展.着重讨论了几种主要被动微混合原理,如多层流、混沌对流、分裂-重合、流体弯曲和压缩以及循环流动.重点分析了近年...
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147. 扫描近场光学显微镜中探针样品间距控制方法刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 在动态原子力与近场光学扫描显微镜中,探针与样品的间距关系到分辨率以及扫描速度这两个最重要参数的性能.在对几种主要的动态原子力/扫描近场光学组合显微镜的探针/样品间距控制模式分析的基础上,认为...
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148. CMP承载器的初步研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 在CMP中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从而导致了晶圆边缘效应的产生.阐述了承载器在CMP中的作用,详细分析了边缘效...
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149. 高亮度发光二极管封装用透镜胶研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： 大功率LED的发光强度大,产生的热量多,其产生的短波光辐射也比小功率发光二极管大,对LED封装材料提出了新的要求.综述了发光二极管封装用透镜胶的研究现状,根据发光二极管对高分子封装材料研发的...
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150. RFID中EEPROM时序及控制电路设计刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年11期页码:摘要： RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求.根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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