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摘要:
论述了铜互连取代铝互连的主要考虑,介绍了铜及其合金的淀积、铜图形化方法、以及铜与低介电常数材料的集成等。综述了ULSI片内铜互连技术的发展现状。
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文献信息
篇名 集成电路片内铜互连技术的发展
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 集成电路 铜互连 铜淀积 铜图形化 ULSI
年,卷(期) 2001,(4) 所属期刊栏目 综合评述
研究方向 页码范围 239-241
页数 3页 分类号 TN405.97
字数 2166字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-3365.2001.04.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李瑞伟 清华大学微电子学研究所 10 79 4.0 8.0
2 陈智涛 清华大学微电子学研究所 4 87 4.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路
铜互连
铜淀积
铜图形化
ULSI
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
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