大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列

• 作者: 张兴德 李忠辉 李梅 王玲 高欣
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 阵列半导体激光器 分别限制 量子阱
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 有机发光器件和光电子
• 页码范围: 255-256,264
• 页数: 3页
• 分类号: TN24
• 字数: 1188字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2002.03.002

摘要

分析了梯度折射率分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响.利用分子束外延系统生长GaAlAs/GaAs GRIN-SCH-SQW结构,经光荧光谱、X-射线双晶衍射、和载流子浓度测试,结果表明,该结构各参数均满足设计要求.应用此结构制成激光器阵列,室温准连续输出功率达58W(t＝200 μs,f＝50 Hz),峰值波长为808 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李忠辉	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	11	44	4.0	6.0
2	张兴德	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	21	81	5.0	8.0
3	王玲	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	8	70	4.0	8.0
4	高欣	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	15	79	5.0	8.0
5	李梅	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	5	13	3.0	3.0