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固体电子学研究与进展期刊
出版文献量（篇）
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固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM... 更多
主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）
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2483
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  • 1. 聚合物光诱导电荷转移光电池的研究进展
    作者： 俞钢 曹镛 邓先宇
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  249-254,284
    摘要： 综述了以共轭聚合物作为电子施主和C60及其衍生物作为电子受主的共混与多层器件结构的聚合物光诱导电荷转移光电池的研究进展.对这类新型结构的光电池的基本性能及机制作了介绍.低生产成本、能通过简单...
  • 2. 大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列
    作者： 张兴德 李忠辉 李梅 王玲 高欣
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  255-256,264
    摘要： 分析了梯度折射率分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响.利用分子束外延系统生长GaAlAs/GaAs GRIN-SCH-SQW结构,经光荧光...
  • 3. 2.5 Gbps发接器系统均衡器电路的设计
    作者： 洪志良 王涛 覃正才
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  257-264
    摘要： 采用片上可编程均衡技术,设计了用于数据率为2.5 Gbps发接器系统接收端的均衡器电路.电路采用0.18 μm标准CMOS工艺和1.8 V单电源.用UMC模型Cadence SpectreS...
  • 4. 迅速发展的有机电致发光(OEL)显示器件
    作者： 滕鹤松
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  265-267,325
    摘要： 有机电致发光显示器件以其全固体、自发光、宽视角、高对比、快响应、低功耗、更轻薄等比液晶显示器件更为优越的特性,在小尺寸平板显示市场上正开始向LCD挑战.
  • 5. 模拟神经元电路实现研究现状与进展
    作者： 周伟雄 李志坚 靳东明
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  268-279
    摘要： 人工神经网络是现代信息处理领域的一个重要的方法.相对于软件实现,硬件实现方式能充分发挥神经网络并行处理的特点.用模拟电路实现神经网络电路形式简单、功耗低、速度快、占用芯片面积小,可以提高在神...
  • 6. 神经网络单电子数/模转换器
    作者： 乐嘉勇 程子川 蒋建飞 蔡琪玉
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  280-284
    摘要： 提出了一种功能性单电子电路:神经网络单电子数/模转换器,研究了电路特性.结果表明,这种单电子电路有很好的数/模转换功能,加上单电子电路固有的极低功耗,可极限密度集成,高速度,使得这种功能性单...
  • 7. 非接触式IC卡射频前端电路设计
    作者： 李永明 路超
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  285-289
    摘要： 给出了一种基于ISO/IEC14443-2标准的非接触式IC卡射频前端电路设计方案,详细叙述了典型模块的设计思路.本设计采用0.8 μm CMOS工艺流水,设计工作频率为13.56 MHz,...
  • 8. 模拟电路阵列及其半定制专用集成电路实现
    作者： 吴金 李冰 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  290-293
    摘要： 与门海数字电路阵列相类似,模拟电路阵列也是半定制集成电路设计的母体形式的一种.首先介绍了母体单元结构布局,然后描述了其电路的实现.在以上模拟电路阵列母体上,成功地实现了很多专用的模拟电路.
  • 9. 电流模式n阶传输函数的OA-OTA实现
    作者： 马云辉
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  294-296,360
    摘要： 提出了一种新的实现任意n阶电流模式传输函数的网络结构.该电路仅含运算放大器(OA)和运算跨导放大器(OTA)有源器件,因而适于全集成.适当设置OTA的跨导值能实现任意高阶传输函数,且传输函数...
  • 10. 非线性容差模拟电阻电路故障诊断神经网络方法
    作者： 何怡刚
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  297-299
    摘要： 将线性电路故障定位l1范数最优化算法推广到非线性电路的故障定位,由于测后计算是基于神经网络计算机环境,所需时间较少,能满足现代工业实时性需要.实例和计算机模拟结果表明所提方法是可行的.
  • 11. 阈值电压对超深亚微米SRAM存储单元SNM的影响
    作者： 李文宏 章倩苓
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  300-304
    摘要： 采用基于物理模型的α指数MOSFET模型,对超深亚微米(VDSM: Very Deep Submicron)SRAM存储单元的静态噪声容限(SNM:Static Noise Margin)进...
  • 12. 高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究
    作者： 韩雁
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  305-308
    摘要： 高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性.所谓高压功率集成电路(HV-PIC),是指将需承受高电压(需达数百伏)的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容,制作在同一块...
  • 13. 不同沟道长度MOSFET的热载流子效应
    作者： 任迪远 余学锋 张国强 郭旗 陆妩 韩德栋
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  309-311,317
    摘要： 对同一工艺制作的几种不同沟道长度的MOSFET进行了沟道热载流子注入实验.研究了短沟MOS器件的热载流子效应与沟道长度之间的关系.实验结果表明,沟道热载流子注入使MOSFET的器件特性发生退...
  • 14. 高介电常数材料在半导体存储器件中的应用
    作者： 任天令 朱钧 李春晓 邵天奇
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  312-317
    摘要： 高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一.它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性,同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性,可实现具有特殊性能...
  • 15. 用于铜的化学机械抛光液的研究
    作者： 刘玉岭 檀柏梅 王新
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  318-320
    摘要： 文中介绍了一种以碱性抛光液对铜进行全局平面化的方法,讨论了以SiO2水溶胶为磨料的抛光液在Cu-CMP过程中的化学(络合)作用及反应机理,并给出了抛光液的配比及上机实验结果.结果表明:该抛光...
  • 16. 2～6GHz单片低噪声放大器
    作者：
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  320-320
    摘要：
  • 17. 薄栅氮化物的击穿特性
    作者： 严荣良 任迪远 余学锋 张国强 艾尔肯 陆妩
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  321-322,338
    摘要： 研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性.结果表明:MOS栅介质中引入一定的N后,能提高介质的电荷击穿强度,电荷击穿强度受N2O退火温度的制约;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微...
  • 18. 含氮MOS栅介质中氮的结键模式
    作者： 严荣良 任迪远 余学锋 张国强 郭旗 陆妩
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  323-325
    摘要： 借助于XPS分析技术,首次研究了MOS结构栅SiO2中引入N后的结键模式.结果表明,N主要以Si-N而非Si-O-N结键形式存在于栅SiO2中.含N MOS介质抗辐射/热载流子损伤能力得以提...
  • 19. 用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制
    作者： 徐中仓 李拂晓 杨乃彬 蒋幼泉 邵凯 陈效建 陈继义 高建峰
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  326-328
    摘要： 报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓MMIC射频开关.该产品在870～970 MHz下,线性功率容量＞33 dBm,插入损耗(IL)＜0.6 dB,隔离度(Iso)≥17 dB,反向三阶交...
  • 20. MESFET肖特基势垒结参数提取及I-V曲线拟合
    作者： 费庆宇 黄云
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  329-332,343
    摘要： 运用双指数函数模型方法分析了影响MESFET的TiPtAu-GaAs肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系,编制了MESFET肖特基势垒结结参数提取和I-V曲线拟合软件,实现了通过栅源正...
  • 21. 数字硅MOSFET微波特性的研究
    作者： 张斌 彭龙新 杨乃彬 邵凯
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  333-338
    摘要： 利用国内先进的0.6μm数字Si-MOS工艺,设计了射频MOSFET,并研究了其DC和微波特性:I-V曲线、S参数、噪声参数和输出功率.研究发现,数字电路用Si MOSFET的频率响应较高:...
  • 22. 高性能声表面波调频振荡器的研究
    作者： 刘春宁 王亮 费元春
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  339-343
    摘要： 分析了声表面波谐振器的性能,论述了声表面波振荡器的工作原理及设计方法,最终完成中心频率为797.3 MHz的振荡电路,调频带宽2 MHz(2 500 PPM).文中对影响调频带宽、相位噪声的...
  • 23. 多层弯曲磁微执行器的宏模型
    作者： 朱珂 黄庆安
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  344-348
    摘要： 首先介绍了多层弯曲磁微执行器的基本工作原理.根据磁路定律和等效磁荷方法,提出了考虑边缘漏磁效应的执行器工作的宏模型.计算结果与ANSYS模拟和已有的实验结果进行了比较.该宏模型可以在设计执行...
  • 24. ULSI互连中纳米多孔SiO2的制造工艺、特性及应用前景
    作者： 朱兆旻 段晓明 肖夏 阮刚 陈智涛
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  349-354
    摘要： 综述了ULSI互连中纳米多孔二氧化硅(NPS)电介质主要品种干燥凝胶(Xerogel)的典型制造工艺,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性,最后评述了有关应用前景.
  • 25. 热处理中As压对半绝缘GaAs缺陷的影响
    作者： 杨瑞霞 赖占平
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  355-360
    摘要： 在950°C和1 120 °C温度下,对非掺杂半绝缘LEC GaAs进行了不同As气压条件下的热处理,热处理的时间为2～14小时.发现不同As压条件下的热处理可以改变GaAs晶片的化学配比,...
  • 26. 用光学传输矩阵模拟光致抗蚀剂中的驻波效应
    作者： 杨华中 汪蕙 范建兴
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  361-366
    摘要： 抗蚀剂曝光的模拟与光刻系统空间像模拟紧密相连,一般是用标量衍射方法在特殊几何形状的光源分布和特殊掩模结构的条件下计算的,实质是一定边界条件和初始条件下Maxwell方程组的求解.驻波是曝光中...
  • 27. 梯度磁场中薄膜厚度梯度
    作者： 朱炎 狄国庆 赵登涛 陈亚杰
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  367-370
    摘要： 通过在基片的下方放置磁铁,在放电空间中引入了纵向的磁场梯度.在这种情况下,辉光外貌发生显著收缩.同时,沉积的薄膜在平面内存在明显的厚度梯度.利用磁场中带电粒子的运动理论解释了此种薄膜的形成机...

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）

固体电子学研究与进展评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国期刊方阵
2. 信息产业部2001-2002年优秀期刊
3. 双效期刊

固体电子学研究与进展统计分析

被引趋势
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