MESFET肖特基势垒结参数提取及I-V曲线拟合

• 作者: 费庆宇 黄云
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 金属肖特基势垒场效应晶体管 参数提取 曲线拟合 寄生电阻
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 射频与微波
• 页码范围: 329-332,343
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2875字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2002.03.019

摘要

运用双指数函数模型方法分析了影响MESFET的TiPtAu-GaAs肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系,编制了MESFET肖特基势垒结结参数提取和I-V曲线拟合软件,实现了通过栅源正向I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个结参数和得到相应结参数下的理论数据,与实验数据吻合良好.分析了影响肖特基势垒结I-V曲线分布的因素,提出了进行器件特性、参数稳定性与可靠性研究和定量分析MESFET肖特基势垒结质量的新方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄云		5	5	2.0	2.0
2	费庆宇		1	2	1.0	1.0