富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

• 作者: 但亚平 刘理天 姚永昭 岳瑞峰 徐杨 王燕
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮氧化硅薄膜 红外吸收谱 XPS PECVD
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 388-393
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4894字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.011

摘要

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳瑞峰	清华大学微电子学研究所	67	379	11.0	15.0
2	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
3	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0
4	但亚平	清华大学微电子学研究所	6	5	1.0	2.0
5	姚永昭	清华大学微电子学研究所	6	4	1.0	2.0
6	徐杨	清华大学微电子学研究所	3	20	3.0	3.0