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集成电路布图设计保护条例
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摘要：
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CMOS集成电路的ESD设计技术
互补金属氧化物半导体
集成电路
静电放电
技术
设计
CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计
互补型金属氧化物集成电路
静电放电
保护电路
电源和地
CMOS集成电路的抗辐射设计
CMOS集成电路
抗辐射加固
总剂量效应
单粒子效应
集成电路版图(layout)设计方法与实例
版图设计
MOS
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期刊影响力
半导体技术
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
开本：
大16开
出版地：
石家庄179信箱46分箱
邮发代号：
18-65
创刊时间：
1976
语种：
chi
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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